三星上周發佈了Q3季度財報,移動部門因為Note 7召回事件損失了15%的營業額,運營利潤則直線下滑96%,但受益於存儲晶片的漲價,三星半導體業務部門營收表現不錯,彌補了部分虧損。考慮到NAND快閃記憶體、DRAM記憶體漲價的勢頭還要持續一段時間,三星也加快了記憶體升級步伐,今年初率先量產了18nm DRAM,明年則會推出15-16nm工藝的DRAM,繼續領先對手一代。
DRAM記憶體晶片的工藝“代”數跟我們常見的22nm、14nm、10nm處理器工藝不同,25nm工藝之後是20nm,有的廠商則是21nm,再往下就是18nm,不過目前只有三星量產了18nm工藝,SK Hynix及美光目前還掙扎在20nm節點,18nm工藝要等到明年。
三星今年初率先量產了18nm工藝,但是明年就要推出新一代工藝了。韓國Business Korea網站援引業界消息稱三星明年下半年將量產15-16nm工藝的DRAM記憶體。從這一點上來看,三星去年宣佈的2020年前實現10nm級記憶體工藝的進度可能會提前,2019年就有可能了。
除了繼續領先新工藝,三星的18nm工藝產能也會擴大,到了明年下半年,18nm記憶體將占到30-40%的產能——那個時候,SK Hynix和美光的18nm大概才會量產吧。
在DRAM記憶體領先,雖然目前只剩下了三星、SK Hynix和美光三家廠商,但三星一家獨大的情況並沒有改變,甚至還可能會繼續領先。iHS統計的資料顯示三星在記憶體市場上的份額高達46.6%,不僅產能大,而且技術領先,在20nm、18nm上已經甩開對手一年到一年半時間。
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