IBM TLC型PCM挑戰3D XPoint快閃記憶體：1000萬次寫入壽命

sxs112.tw · 發表於 2016-5-18 21:19:42

藍色巨人IBM與消費級產品越來越遠，但IBM從來沒有遠離高科技行業，不論是7nm半導體製程還是新一代AI智慧或者別的尖端科學，IBM都是要肩負人類希望。在下一代儲存晶片上，Intel美光的3D XPoint已經邁出了革命性一步，不過點滿黑科技天賦的IBM日前拿出了同樣具備極強競爭力的PCM儲存晶片——他們首次實現PCM每單元儲存3位數據，你可以把它理解成NAND快閃記憶體從1bit/cell的SLC快閃記憶體到3bit/cell的TLC快閃記憶體的改變。

PCM是透過材料熱變化來儲存訊息的，相比傳統快閃記憶體或者記憶體晶片，PCM具備多個優點，比如寫入次數可達1000萬次，遠高於NAND快閃記憶體（TLC寫入壽命不足1000，MLC多為3000-5000，SLC多為5000-10萬），速度更快，是NAND的50倍之多。IBM這次的突破就在於他們首次製造出了3BPC晶片，換句話說這就相當於製造出了TLC類型的NAND快閃記憶體，有助於提高PCM容量，降低成本，這是PCM實用化必經之路。

日前在巴黎舉行的IEEE國際儲存工作會議上，IBM蘇黎世研究中心的科學家公佈了這次研究成果，他們在64K單元陣列上首次實現每單元3bit數據儲存，而且在極高溫度及100萬次可靠性循環之後依然能保持資料。

消息來源

shandelier · 發表於 2016-5-19 14:56:22

有夢最美~
期待突破

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[儲存裝置] IBM TLC型PCM挑戰3D XPoint快閃記憶體：1000萬次寫入壽命