速度比 Quick Charge 2.0 快 27%，同時功率損耗降低 45%，充電約 35 分鐘即可將一部典型的手機從零電量充電至 80%，而傳統終端通常需要一個半小時。
高通今日宣佈，其子公司 Qualcomm Technologies, Inc. 已經正式推出下一代快速充電技術 Qualcomm® Quick Charge™ 3.0（簡稱 Quick Charge 3.0，下同），比目前主流中高端手機上的 Quick Charge 2.0 擁有更快的充電速度和更低的功率損耗。
據介紹，高通第三代快充方案 Quick Charge 3.0 首次採用了“最佳電壓智慧協商（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）”演算法，可讓設備具備自行選擇所需功率電平的能力，從而在任意時刻都能實現最佳的功率傳輸，進一步保護電池的使用壽命。
最新的 Quick Charge 3.0 在充電速度上相比 Quick Charge 2.0 快了 27%、是 Quick Charge 1.0 的兩倍，約 35 分鐘即可將一部典型的手機從零電量充電至 80%，同時功率損耗降低了至少 45%，整體效率比 Quick Charge 2.0 提升了 38%。作為對比，不具備 Quick Charge 的傳統移動終端從零電量充電至 80% 通常需要大致一個半小時的時間。
此外，Quick Charge 3.0 還在 Quick Charge 2.0 的基礎上帶來了增強了電壓選項的靈活性，後者提供 5V、9V、12V 和 20V 四檔充電電壓，而 Quick Charge 3.0 則以 200mV 增量為一檔，提供從 3.6V 到 20V 電壓的多檔選擇。
不僅如此，Quick Charge 3.0 還能夠與 Quick Charge 之前的版本及連接器（包括USB Type-C）前向和與舊版相容，充電速度不打折扣。已經確認支持 Quick Charge 3.0 的首批次處理器包括驍龍 820/620/618/617/430，覆蓋中高端產品，終端將于明年上市。 |
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