HGST展示PCM技術SSD：300萬IOPS，延遲低至1.5微秒

sxs112.tw · 發表於 2014-8-11 20:48:52

在前幾天的FMS全球快閃記憶體會議上，HGST除了發布2.7GB/s性能的PCI-E 3.0的FlashMAX III硬碟之外，還宣布了世界上最快的SSD，使用的雖然是PCI-E 2.0 x4，但是隨機IOPS性能高達300萬IOPS，而延遲更是低至1.5微秒，已經遠遠超過了普通的NAND快閃記憶體的SSD性能，因為HGST這次使用的是45nm製程的PCM技術快閃記憶體。

先來說說HGST的這個硬碟性能到底有多強大，首先是300萬IOPS，目前主流的桌上型SSD的隨機性能普通在10萬IOPS以內，PCI-E的可以達到十幾萬到幾十萬IOPS ，比如Intel的750系列SSD就可以達到18萬IOPS，企業級的PCI-E則能達到五六十萬甚至更多，此前見諸報導的IOPS性能最高的SSD是源科的麒麟III PCI- E硬碟，512B數據隨機性能最高也是300萬IOPS。
300萬隨機IOPS性能其實並不是HGST最自豪的地方，1.5微秒（us）的延遲時間才是更關鍵的，普通SSD的延遲多在30-40微秒或更高，SLC規格的企業級PCI -E硬碟通常也要10微秒多，這還是隨機寫入的，隨機讀取延遲則要更高了，而HGST的硬盤只要1.5微秒，這在今天的NAND快閃記憶體技術上是不可能實現的。
HGST依靠的就新一代的PCM儲存技術，對於PCM技術我們之前也介紹過一些，PCM不僅性能更快，而且寫入次數限制也堪比SLC，是未來最有競爭力的技術技術標準之一，IBM、三星、美光、Intel等公司都在開發PCM技術。

admin · 發表於 2014-8-12 09:51:40

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XF-Staff · 發表於 2014-8-13 11:27:30

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XF-Team · 發表於 2014-8-14 13:31:59

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