【XFastest訊】2014年8月7消息，三星的V-NAND隨著850 Pro的發佈開始正式進入消費級市場，目前的V-NAND是第二代，最大32層堆疊，NAND基礎還是40nm工藝的MLC快閃記憶體，剛剛測試得出的P/E次 數達到了6000次，可靠性還不錯。但是，以三星的鳥性，TLC快閃記憶體怎麼可能放過V-NAND，三星有計劃把TLC快閃記憶體也做成V-NAND那樣的3D堆疊，或許不久之後我們就能見到850 Evo固態硬碟了。
用不了多久，我們就可以看到TLC快閃記憶體的850 EVO取代840 EVO了
在前不久三星的SSD全球會議上，Techreport得知三星有計劃推出3bit V-NAND，只不過三星在透露消息方面一貫很小氣，就是不肯說具體細節，不過TR表示在第二代V-NAND發佈會上三星提到了今年底會推出容量密度更高的硬碟，或許指的就是這個TLC版的V-NAND快閃記憶體。具體命名也不確定，不過慣例可能會用850或者850 EVO這樣的名字。
雖然TLC名聲不是很好，但是TLC快閃記憶體對提高容量密度、降低成本大有裨益，而性能、可靠性上的問題可以通過其他方式彌補，比如三星的840 EVO就使用了SLC緩存的方式改善了寫入速度，所以只要技術成熟，NAND廠商們還是會上TLC快閃記憶體的，三星起了頭，美光很快也會跟進。
此外，V-NAND技術在某種程度上也能改善TLC快閃記憶體的缺點，立體多層堆疊的封裝使得TLC快閃記憶體對制程的要求沒有這麼高了，還可以減少干擾，這也有助於改善寫入性能。
總之，不管某些用戶是否接受TLC快閃記憶體，三星力推的態度是改不了的，特別是有了V-NAND技術的輔助之後，TLC快閃記憶體的一些缺點更有了明顯改善，三星遲早會推TLC版的V-NAND快閃記憶體，快的話今年底就能見到850 EVO這樣的產品了。
可以預想，一旦TLC快閃記憶體的V-NAND硬碟上市，屆時又免不了引起很多爭議。TLC快閃記憶體理論上壽命會少很多，不過新技術的進度也不可阻擋，對TLC快閃記憶體唯一的質疑應該是：如果它的成本比MLC更低，為何市面上的TLC硬碟相對MLC硬碟並沒有價格優勢呢？三星解決了這個問題才更有利於TLC快閃記憶體為人廣泛接受。
|
收藏
分享
分享
提升卡
置頂卡
沉默卡
喧囂卡
變色卡
顯身卡
