Cypress的平行式nvSRAM非揮發記憶體獲LSI青睞，打造業界首款12Gb/s SAS介面卡

XF-News · 發表於 2013-9-26 16:48:05

Cypress的平行式nvSRAM非揮發記憶體獲LSI青睞，打造業界首款12Gb/s SAS介面卡
平行式nvSRAM能雀屏中選歸因於其頂尖速度、可靠性、及低運作電壓協助打造更高效能的儲存系統
觸控感測市場領導廠商Cypress Semiconductor（NASDAQ: CY）宣布LSI已為其新款12 Gb/s SAS介面卡（HBA）選用Cypress的平行式非揮發靜態隨機存取記憶體（nvSRAMs），這些介面卡將用在高效能伺服器、工作站、及外接式儲存系統。NvSRAMs為SAS介面卡提供高速、低電壓的故障保護（fail-safe）記憶體，提升LSI解決方案的性能。此外，平行式nvSRAM具高度彈性，不僅能在不同電壓下運作，還能像日誌記憶體一樣能夠建立追蹤紀錄，也是獲得LSI青睞的重要原因。
LSI最近所推出的LSI® SAS 9300 HBA系列，為業界首款12Gb/s SAS介面卡解決方案，支援高效能伺服器、工作站、及外接式儲存系統。此系列不僅能加快儲存作業速度，還設計用來滿足各種高效能應用對於不同環境的要求，其中包括交易資料庫、Web 2.0、資料探勘、影音串流與編輯等。
Cypress的平行式nvSRAM存取時間僅25奈秒，為市面上最快的非同步非揮發RAM。Cypress的nvSRAM支援無限次的資料讀寫與召回期限，資料保存期長達20年，因此非常適合運用在需要持續高速寫入資料，以及非揮發性儲存資料維持絕對安全性的應用，而且不需電池供電就能備份資料。
LSI公司行銷部資深總監Robin Wagner表示：「轉移至12 Gb/s SAS的主要原因是企業必須管理資料中心內持續增加的儲存容量。關於使用nvSRAM作為日誌記憶體，Cypress已有成功的經驗，在這方面它們能符合LSI 9300產品系列的各項嚴苛效能要求。平行式nvSRAM的彈性，運作範圍能延伸至電壓3伏特以下，不僅能簡化設計流程，還可加快產品上市時程。」
Cypress公司非揮發產品事業部資深總監Rainer Hoehler表示：「我們很高興儲存業界領導廠商LSI能選用Cypress的平行式nvSRAM記憶體。運用在業界首款12Gb/s解決方案，驗證了平行式nvSRAM所提供效能的卓越與可靠性。」
Cypress的nvSRAM是採用SONOS（矽氧氮氧矽）嵌入式非揮發記憶體技術所製造。nvSRAM是各種需要高效能與絕對非揮發資料安全性應用的理想解決方案，包括像磁碟陣列系統、PLC可編程邏輯控制器、工業資料記錄器、運算與網路系統、馬達驅動器、路由器與交換器、航空電子、國防系統、以及遊戲系統。
身為SONOS製程技術的領導者，Cypress正將此技術運用在其旗艦PSoC®混合訊號陣列、可編程模組、以及其他產品上。SONOS相容於各種標準CMOS技術，並提供眾多優點，其中包括高效能、低功耗、以及抗輻射等。通過驗證的SONOS技術能在Cypress內部晶圓廠與多家晶圓代工夥伴的工廠運作。這項技術在擴充性與易製性方面勝過其他磁性非揮發記憶體技術。Cypress使用nvSRAM的SONOS製程技術產品出貨量已累積超過10億顆。
關於Cypress nvSRAMs
Cypress的nvSRAM採用儲存在外部而非電池內的電容，因此能相容於標準PCB電路板的組裝製程。Cypress的nvSRAM符合禁用物質防制法（ROHS）規範，可直接取代SRAM、電池供電SRAM（BBSRAM）與EEPROM元件，提供高速非揮發資料儲存功能。在關閉電源時，系統會自動把SRAM內的資料傳送到元件內的非揮發儲存區。在啟動電源時，資料再從非揮發性記憶體回存至SRAM。在網路、工業、運算以及磁碟陣列等方面的應用中，nvSRAM提供高速資料傳輸，並在供電中斷時能確保資料完整性，不需要電池供電。
關於賽普拉斯半導體公司（Cypress Semiconductor Corporation）

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