[情報] 安森美半導體擴展功率MOSFET和IGBT驅動器系列

PC3 · 發表於 2008-4-15 23:29:57

，推出應用於白家電、照明電子整流器和工業的新元件

新的雙或單輸入MOSFET/IGBT驅動器與行業標準針腳對針腳兼容

2008年4月14日–全球領先的高效能電源解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，Nasdaq：ONNN)擴展MOSFET驅動器積體電路(IC)系列，推出四款新元件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。這些新的功率門驅動器針對中低功率應用，適用於終端產品包括白家電、照明電子整流器和馬達控制等工業應用。

這些新的高壓、高端和低端驅動器工作在-40℃至125℃的寬規定工作溫度範圍，並能工作在高達600伏(V)的輸入電壓，減輕了設計時間和精力。它們都具有每納秒(V/ns) 50 V的dV/dt抗擾度，並兼容於3.3 V和5 V輸入邏輯。這些元件使用啟動電路(bootstrap)技術來確保驅動高端功率開關，並提供強固的設計。

NCP5104、NCP5106B、NCP5111和NCP5304是高壓功率門驅動器，提供兩路輸出，用於直接驅動採用半橋配置的兩個N溝道功率MOSFET或絕緣門極雙極型電晶體(IGBT)。NCP5106A能夠用於其他任何高端加低端配置。

NCP5104、NCP5106、NCP5111和NCP5304與行業標準元件針腳對針腳兼容，採用SOIC-8和PDIP-8封裝，每2,500片的批量單價分別為0.80美元和0.96美元。

更多技術信息請訪問www.onsemi.com 或聯繫Christophe Warin (電子信箱：Christophe.Warin@onsemi.com)。

連結
https://sinwen.com/?p=1725

文章分享：

+ MORE精選文章：

+ MORE活動推薦：

SAMSUNG T7 Shield 移動固態硬碟

GEX PRO 850W玩家開箱體驗分享活動

體驗極速WiFi 7！MSI Roamii BE Lite Mesh

極致效能為遊戲而生 990 PRO SSD 玩家體驗

[情報] 安森美半導體擴展功率MOSFET和IGBT驅動器系列

瀏覽過的版塊

文章分享：

+ MORE精選文章：

+ MORE活動推薦：

SAMSUNG T7 Shield 移動固態硬碟

GEX PRO 850W玩家開箱體驗分享活動

體驗極速WiFi 7！MSI Roamii BE Lite Mesh

極致效能 為遊戲而生 990 PRO SSD 玩家體驗

[情報] 安森美半導體擴展功率MOSFET和IGBT驅動器系列

瀏覽過的版塊

極致效能為遊戲而生 990 PRO SSD 玩家體驗