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作者: PC3
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[情報] APOGEE DDR3 1066 SO-DIMM 記憶體模組

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PC3 發表於 2008-4-2 18:57:50 | 只看該作者 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式



APOGEE DDR3 1066 1GB/2GB記憶體模組擁有高幅度的超頻空間,滿足專業玩家對於超頻的需求。


專業記憶體製造廠商華東承啟科技,因應銷售量日漸增長的筆記型電腦市場,領先推出APOGEE DDR3 1066 SO-DIMM筆記型電腦專用記憶體,為六月即將登場的新世代Intel Montevina Centrino 2筆電平台搶先鋪路。

APOGEE DDR3 1066 1GB/2GB SO-DIMM記憶體模組,採用CSP FBGA封裝技術,並遵循JEDEC所制訂的DDR3標準,採8 bit預取設計,運用DDR3提升頻寬的關鍵技術,在同樣的核心頻率中,提供較 DDR2 4bit預取設計多兩倍的頻寬。


環保及節能意識普及下,DDR3省電的特性值得消費者特別注意,尤其對筆記型電腦待機時間的延長大有助益,DDR3的工作電壓以1.5V設計,相較DDR2的1.8V,可節省約17%的耗電量。


APOGEE DDR3 1066 1GB/2GB記憶體模組擁有高幅度的超頻空間,滿足專業玩家對於超頻的需求,更增添了諸如CWD寫入延遲功能、Reset(重置)超省電功能、ZQ終端電阻校準功能、SRT可程式化溫度控制記憶體時脈功能、RASR局部Bank刷新功能等,這些新技術讓DDR3記憶體擁有更有效的資料讀寫,以及省電的效能。


放眼下一代筆電平台Intel Montevina Centrino 2,以45nm Penryn核心為處理器根基,前端匯流排進化到1066 MHz,並引進全新主要晶片組,對此全新規格,華東承啟已經做好專業的準備,與消費者一同迎接筆記型電腦的應用新世代。

連結
https://www.cyberone.tw/ItemDetai ... MMContentNoID=49598
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