AMD Ryzen 7 9800X3D CCD使用93%的填充物，沒有任何效能目的

sxs112.tw · 發表於昨天 21:17

AMD Ryzen 7 9800X3D上有3D V-Cache的CCD總共只有40-45μm，但其餘部分加起來高達750μm，這完全不起作用，但對於穩定性至關重要。

AMD Ryzen 7 9800X3D令人難以置信的遊戲表現無需介紹。在Ryzen 7 5800X3D中導入3D V-Cache技術後，AMD首次改變了3D堆疊在基板上的放置方式。在以前的X3D晶片上3D小晶片堆疊在核心複合晶片的頂部，允許核心直接存取所有額外的L3快取，但9800X3D將3D小晶片放在CCD下方。

這一微小但意義重大的變化導致溫度降低，並釋放了AMD Ryzen 7 9800X3D的超頻潛力，使其即使在基本時脈下也能達到4.7GHz。然而與之前的X3D晶片相比，CCD設計有點不尋常。半導體分析師Tom Wassick分析了9800X3D上的CCD，發現其上的大部分晶片都毫無用處。

這並不意味著它沒有目的，但它沒有參與操作。 CCD和SRAM的尺寸分別僅為7.2μm和6μm，有互連和填充物的總晶片堆疊尺寸僅為40-45μm。然而CCD的總厚度約為800μm，剩下750μm的晶片層。此層不包含任何功能部分，而是黏附在堆疊上以改善結構支撐並提供更多保護。

由於SRAM和CCD非常薄，因此它們非常脆弱，可能會在製造或處理過程中造成損壞。透過添加虛擬晶片層，這個問題就被消除了。除了虛擬晶片層之外，SRAM也出於類似目的在側面延伸50μm。總而言之這是確保整個3D晶片堆疊的可靠性和穩定運行所必需的。 AMD除了將SRAM放在CCD下方以確保核心可以直接散熱之外，還透過這種設計解決了許多問題。

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