繼宣布推出全球首個300mm氮化鎵(GaN) 功率晶圓並在馬來西亞居林開設全球最大的200mm碳化矽(SiC) 功率晶圓廠後，Infineon科技股份公司宣布推出半導體製造技術的下一個里程碑。Infineon在大規模半導體晶圓廠處理和加工有史以來最薄的Silicon Wafers方面取得了突破，厚度僅為20µm，直徑為300mm。Silicon Wafers厚度只有人類頭髮絲的四分之一，是目前最先進的40-60µm Wafers厚度的一半。
這項創新將顯著有助於提高人工智慧資料中心以及消費性、馬達控制和運算應用的電源轉換解決方案的能源效率、功率密度和可靠性。與採用傳統Silicon Wafers的解決方案相比，晶圓厚度減半可將晶圓的基板電阻降低50%，從而將電力系統中的功率損耗降低15%以上。對於高階人工智慧伺服器應用來說，更高的電流等級推動了不斷增長的能源需求，這在功率轉換中尤其重要。晶圓技術提升垂直供電設計，採用垂直Trench MOSFET技術，可與AI晶片處理器緊密連接，進而降低功耗，提升整體效率。
為了克服將晶圓厚度減少到20µm量級的技術障礙Infineon工程師必須建立一種創新且獨特的晶圓研磨方法，因為將晶片固定在晶圓上的金屬堆疊厚度超過20µm。這顯著影響薄晶圓背面的處理和加工。此外技術和生產相關的挑戰（例如晶圓彎曲和晶圓分離）對後端組裝過程產生重大影響，確保晶圓的穩定性和一流的穩健性。 20µm薄晶圓製程建立在Infineon現有的製造專業知識之上，確保新技術可以無縫整合到現有的大量生產線中，而不會增加製造複雜性，從而保證盡可能高的良率和供應安全。
該技術已通過資格認證並應用於Infineon的整合智慧功率級（DC-DC轉換器），並已交付給首批客戶。它突顯了該公司作為20µm晶圓技術相關強大專利組合的持有者在半導體製造領域的創新領先地位。隨著目前超薄晶圓技術的不斷發展，Infineon預計在未來三到四年內將取代現有的低壓功率轉換器傳統晶圓技術。這項突破鞏固了Infineon在市場上的獨特地位，擁有最廣泛的產品和技術組合，包括採用矽、碳化矽和氮化鎵的裝置，這些元件是脫碳和數位化的關鍵推動者。
Infineon將於11月12日至15日在慕尼黑舉辦的2024年電子展（C3展廳，502號展位）上公開展示首款超薄Silicon Wafers。
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