記憶體解決方案供應商Kioxia Corporation今天宣布該公司的研究論文已被IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) 2024接收，該會議將於12 月7日至11日在美國舊金山舉行，是一個享有盛譽的國際會議。除了最先進的三維（3D）快閃記憶體技術BiCS FLASH 之外，Kioxia還擅長於新興記憶體解決方案的研究。 公司不斷努力，以創新的記憶體產品滿足未來運算和儲存系統的需求。
現有的運算系統利用DRAM作為主記憶體設備，使CPU能夠快速處理數據，同時利用快閃記憶體儲存大量數據。 Kioxia正在帶頭研發儲存類別記憶體(SCM)，這是一種在半導體記憶體層次結構中介於DRAM和快閃記憶體之間的記憶體解決方案，旨在處理比DRAM更大的資料量和比快閃記憶體更高的速度。
在IEDM上Kioxia將分別針對這三個半導體記憶體層推出尖端技術：利用氧化物半導體的新型DRAM，重點是降低功耗；適用於SCM應用的更大容量MRAM；以及有出色位密度和性能的新型3D快閃記憶體結構。
新興記憶體技術：
氧化物半導體通道電晶體DRAM (OCTRAM)：
該技術由Nanya Technology和Kioxia Corporation共同開發。 這兩家公司開發的垂直晶體管透過改進製造流程提高了電路整合。 這兩家公司透過利用氧化物半導體發揮電晶體的特性，實現了極低的漏電流。 這有可能降低人工智慧和5G後通訊系統以及物聯網產品等廣泛應用中的功耗： 採用4F2架構的氧化物半導體通道電晶體DRAM (OCTRAM)
高容量交叉點MRAM 技術：
該技術由SK hynix公司和Kioxia公司共同開發。 透過這項技術，這兩家公司將適用於大容量的選擇器與磁性隧道結的單元技術相結合，並應用交叉點型陣列的精細加工技術，在20.5nm的單元半間距範圍內實現了MRAM有史以來最小的單元讀取/寫入操作。 隨著單元的微型化，記憶體的可靠性往往會降低。 這兩家公司開發了一種潛在的解決方案，即利用選擇器的瞬態響應和減少讀出電路寄生電容的新讀出方法。 這項技術可實際應用於人工智慧和大數據處理。
採用水平單元堆疊結構的下一代3D儲存技術：
Kioxia開發了一種新的3D結構，以提高可靠性並防止NAND型單元性能下降。 在傳統結構中當堆疊層數增加時，效能通常會下降。 與垂直排列NAND 型單元的傳統結構相比，新結構透過堆疊方式水平排列NAND型單元。 這種結構可以低成本實現高位元密度和高可靠性的三維快閃記憶體。
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