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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] SK hynix的目標是在2025年生產400層NAND

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sxs112.tw 發表於 2024-8-3 16:44:05 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
據報導SK hynix士正在開發400層NAND，計劃於2025年底開始量產。此資訊來自韓國媒體etnews最近引用產業消息來源的一篇文章。

SK hynix打算利用混合鍵結技術來實現這一目標，預計將新的封裝材料和零件供應商導入供應鏈。開發過程涉及探索新的鍵合材料和連接不同晶圓的各種技術，包括拋光、蝕刻、沉積和佈線。 SK hynix的目標是在明年年底前準備好技術和基礎設施。
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SK hynix在2023年8月展示了321層NAND樣品。這種方法不同於他們目前的外圍單元下（PUC）方法，該方法將單元堆疊在外圍驅動電路區域的頂部。向混合鍵合的轉變旨在解決層數增加的挑戰，例如電池堆疊過程中由於高熱和高壓而對週邊設備造成的潛在損壞。透過在鍵合之前在單獨的晶圓上製造單元和周邊設備，SK hynix希望能夠實現穩定的層數增加，同時保護外圍零件。

當etnews詢問有關400層NAND開發的問題時，SK hynix拒絕確認有關技術開發或量產時間表的具體細節。

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