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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] 三星希望透過新出現的Hafnia Ferroelectric實現超過1000層NAND

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sxs112.tw 發表於 2024-5-12 22:05:10 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
三星電子實現PB儲存目標的計畫不久前似乎不太現實，但該公司現在正在考慮使用新的ferroelectric材料，透過超過1000層NAND技術來實現這一目標。

最近我們談到了三星對NAND市場未來的計劃，包括發布第9代V-NAND，該快閃記憶體將有多達290層的堆疊，樹立了新的市場標準。有趣的是這家韓國龍頭還宣布了一款令人震驚的430層堆疊NAND產品（第10代V-NAND），預計將於明年推出。有了這樣的設備，三星電子計劃盡快跨越1000TB的里程碑，但還有另一個令人興奮的事情。
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在檀香山舉行的超大規模積體電路技術研討會上，韓國科學技術院(KAIST) 的研究人員預計將展示他們關於Hafnia Ferroelectrics的研究結果，這是一類在特定條件下表現出Ferroelectric的材料。近年來它們引起了人們的極大興趣，特別是來自計算行業，因為它們的ferroelectric特性可能有助於開發更小、更有效率的電容器和儲存設備。

值得注意的是三星並未直接參與研發過程，但據說參與人員與這家韓國龍頭有直接關係。雖然不確定Hafnia Ferroelectrics是否會導致PB儲存設備的誕生，但它們可能會發揮主導作用，最終帶領我們實現這一里程碑。

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