SK Hynix宣布與台積電合作開發下一代HBM4記憶體和封裝技術，例如CoWoS 2。
就在SK Hynix宣布這一消息的前一天，三星宣布已停止自己的HBM4記憶體開發並預計在2025年發布。在這方面SK Hynix將在2026年準備好HBM4並正式限量發布，我們預計它們還將具有一些超快的速度，以及透過使用16-Hi堆疊實現的更高記憶體容量。SK Hynix也與台積電合作加速CoWoS 2等下一代封裝創新，它將在 NVIDIA、AMD和Intel下一代AI和GPU加速器的開發中發揮主要作用。
新聞稿： SK hynix Inc.（ www.skhynix.com）今天宣布它最近與台積電簽署了一份諒解備忘錄，合作生產下一代HBM，並通過先進封裝增強邏輯和HBM整合技術。該公司計劃透過這項措施繼續開發HBM4，即HBM系列第六代產品，預計從2026年開始量產。
SK Hynix表示AI儲存領域的全球領導者與全球頂尖邏輯代工廠台積電的合作將帶來HBM技術的更多創新。此次合作還有望透過產品設計、代工廠和記憶體提供者之間的三邊合作實現記憶體效能的突破。
- SK Hynix與台積電簽署諒解備忘錄，合作開發HBM4與下一代封裝技術
- SK Hynix將採用台積電尖端代工製程提升HBM4性能
- 產品設計-晶圓代工-記憶體三方合作，打破AI應用記憶體效能限制
兩家公司將首先專注於提高安裝在HBM封裝最底部的基礎晶片的性能。 HBM的製作方法是將核心DRAM晶片堆疊在採用TSV技術的基礎晶片之上，並將DRAM堆疊中固定數量的層垂直連接到有TSV的核心晶片，形成HBM封裝。位於底部的基礎晶片連接到控制HBM的GPU。
SK Hynix總裁兼AI基礎設施負責人Justin Kim表示：我們希望與台積電建立強有力的合作夥伴關係，以幫助加快我們與客戶的開放合作，並開發業界性能最佳的 HBM4。透過此次合作，我們將透過增強客製化記憶體平台領域的競爭力，進一步鞏固我們作為整體人工智慧記憶體供應商的市場領導地位。
多年來，台積電和SK Hynix已經建立了牢固的合作夥伴關係。我們共同努力，整合最先進的邏輯和最先進的HBM，提供世界領先的人工智慧解決方案。 展望下一代HBM4，我們相信我們將繼續密切合作，提供最佳整合解決方案，為我們的共同客戶開啟新的人工智慧創新。
SK Hynix
SK Hynix已使用專有技術製造高達HBM3E的基礎晶片，但計劃在HBM4基礎晶片上採用台積電的先進邏輯製程，以便可以將附加功能封裝到有限的空間中。這也有助於SK Hynix生產客製化HBM，滿足客戶對性能和功效的需求。SK Hynix和台積電也同意合作優化HBM和台積電CoWoS 2技術的整合，同時合作回應常見客戶與HBM相關的要求。
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