中微PRIMO D-RIE刻蝕榮獲半導體國際主編推薦最佳產品獎

sxs112.tw · 發表於 2009-7-16 22:29:19

上海及舊金山2009年7月16日電 /美通社亞洲/ — 中微半導體設備有限公司的PRIMODD-RIE介電質刻蝕設備榮獲剛剛由半導體國際雜誌社頒布的2009年度主編推薦最佳產品獎。這一獎項是對在芯片生產上已被驗證的，並在推動國際半導體工業發展上具有極大潛力的傑出設備產品，材料及服務的高度認可。

中微公司資深副總裁，杜志游博士代表公司出席了在一年一度的SEMICON WEST期間的頒獎典禮。
提到這次的獲獎，中微公司的董事會主席和總執行長尹志堯博士說：「在今天的的市場環境下，一個企業在核心設備領域是否能處於領先地位，越來越取決於企業是否能夠通過技術創新來提供給市場最佳的性能和最具成本優勢的產品。中微的PRIMO D-RIE刻蝕設備正是按照這樣的使命而開發的。我們非常高興地看到我們的創新通過這個最具聲望的獎項而得到認可。」
從2007年年底進入市場以來，中微公司的PRIMO D-RIE（超高射頻，去藕和離子反應刻蝕）設備已經穩步進入市場並被亞洲先進的芯片製造商用於關鍵的刻蝕應用。中微公司PRIMO刻蝕設備專注於300毫米65-45納米及更先進的器件製造，中微公司PRIMO D-RIE獨特的雙工作台反應器技術保證了芯片加工的質量，芯片之間加工的一致性，設備加工的重複性和穩定性。獨特的雙台多反應室系統大大提高了產能；尤其是與單工作台的系統相比產能提高35%，平均製造成本降低35%。正像中微承諾的，PRIMO D-RIE以簡單的設計，優異的性能，和可靠好用的系統為工業界提供高性價比的產品。
中微公司簡介
中微公司是以亞洲為基地的新興半導體設備公司。公司致力於不斷的技術創新,極大的提高產能和降低晶片製造成本，為全球先進的晶片生產廠家提供一系列高端的生產設備。中微公司擁有獨立的技術創新能力和嚴格的知識產權管理。中微開發的超高頻,去耦合的離子蝕刻設備為65和45奈米以及更高端的器件製程技術提供了最佳的技術和低成本解決方案。中微公司的全球佈局包括在中國,日本,南韓,台灣, 新加坡等地設立研發, 製造,銷售和客戶服務機構。

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