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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] (PR)長江儲存推出採用創新Xtacking 3.0架構的X3-9070 3D NAND

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sxs112.tw 發表於 2022-12-9 19:53:32 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
長江儲存今天在快閃記憶體高峰會 (FMS) 2022上發布了採用Xtacking 3.0架構的X3-9070 TLC 3D NAND。自FMS 2018首次亮相以來,長江儲存的Xtacking技術已成為公司創新願景的標誌,混合鍵合方法已被廣泛認為是行業未來增長的關鍵推動力之一。長江儲存的Xtacking 3.0架構旨在成為推動半導體生態系統價值和創新的共同增長平台,為5G、AloT及其他領域的多元化應用開闢了一個充滿機遇的世界。
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從1.0到3.0,長江儲存的Xtacking技術,一種異構的3D整合架構,已經建立了成功的記錄,採用Xtacking NAND的系統解決方案的多樣化組合證明了這一點,包括SATA III、PCIe Gen3和Gen4 SSD,以及作為用於行動和嵌入式應用的eMMC和UFS,贏得了領先OEM的認可。

長江儲存第四代3D NAND X3-9070以Xtacking 3.0為強大核心,是一款頂尖產品,有更高的位元密度、優化的性能、更高的耐用性、品質和可靠性,符合嚴格的測試標準,例如JEDEC。由於最近的特定流程改進,現在還可以以更高的成本效率獲得增強的可擴展性。

X3-9070 的主要特性包括:
  • 性能:X3-9070實現了高達2400MT/s的I/O速度,符合ONFI 5.0標準,相比上一代產品性能提升50%。
  • 位元密度:利用Xtacking 3.0的創新架構,X3-9070已成為長江儲存歷史上位元密度最高的快閃記憶體產品,可在超小的單晶片封裝中實現1Tb的容量。
  • 系統級產品體驗升級:創新6平面設計,每平面支持同步多平面獨立執行。多重和同步並發增強了順序和隨機訪問的系統I/O性能。與典型的4平面架構相比,系統性能最高可提升50%,而功耗可降低25%。這種系統級升級可以提高電源效率和更具吸引力的總擁有成本 (TCO)。


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