Intel在去年七月份的Intel加速創新:製程和封裝技術線上發布會上,展示了一系列底層技術創新,以驅動Intel到2025年乃至更遠未來的新產品開發。
除了公佈其近十多年來首個全新電晶體管架構RibbonFET和業界首個全新的背面電能傳輸網路PowerVia之外,Intel還重點介紹了迅速採用下一代極紫外光刻(EUV)技術的計劃,即高數值孔徑(High-NA)EUV,並將部署業界第一台High-NA EUV光刻機。
Intel最新製程路線圖看起來是非常積極的,這是一個四年內推進五個製程的計劃。雖然Pat Gelsinger回歸Intel擔任CEO以後,藍色巨人的表現有所起色,但鑑於過去多年來的羸弱表現,不少人對這份製程路線圖持保留態度。近日半導體諮詢公司IC Knowledge的總裁Scotten Jones為SemiWiki撰寫了一篇文章,談及了自己對Intel的計劃從懷疑到獲得信心的過程。
Scotten Jones分析了Intel、台積電和三星未來幾年可能的半導體技術研發情況,認為Intel隨著更多地使用極紫外(EUV)光刻設備,加上在Intel 20A製程導入RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術,將會有一個巨大的突破。預計2024年末(最初的說法是2025年初)Intel將推出對RibbonFET改進後的Intel 18A,那麼很可能在2025年壓倒台積電的N2製程,取得每W性能的領先。
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