找回密碼註冊
返回列表 發新帖
作者: sxs112.tw
查看: 6746
回復: 0

文章分享：

+ MORE精選文章：

+ MORE活動推薦：

FIT V DDR5 電競/超頻記憶體 玩家開箱體驗

FIT V DDR5 電競/超頻記憶體最 FIT 專業工作者的效能首選 [*]靈巧俐 ...

華碩 極速WiFi 7 寫文競走開始！-- 得獎公

第一名 dwi042 https://www.xfastest.com/thread-294970-1-1.html ...

Ducky One X 玩家開箱體驗分享活動

重新定義類比鍵盤 全球首款電感式鍵盤 Ducky One X導入最新的類比軸 ...

UNI FAN TL Wireless LCD 120 ARGB 玩家開

[*]1.6吋液晶屏，解析度為400×400。 [*]支援 GIF、MP4、JPG 和 PN ...

打印 上一主題 下一主題

[儲存裝置] 三星提升QLC快閃記憶體性能：寫入可達320MB/s ，重新超越機械硬碟

[複製鏈接]| 回復
跳轉到指定樓層
1#
sxs112.tw 發表於 2021-11-22 20:29:05 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
隨著快閃記憶體的發展，如今廉價大容量的SSD幾乎都要上QLC快閃記憶體了，這讓消費者很不爽，因為QLC快閃記憶體不僅可靠性差，而且性能也慢很多，沒有快取加速的時候，性能甚至跑不過HDD機械硬碟。QLC快閃記憶體性能差是先天性的，如果用光了快取容量空間，現在的QLC快閃記憶體真實寫入速度也就100MB/s，三星的870 QVO硬碟之前有人實測過，拷貝的速度也就160MB/s，這個速度甚至還不如一些HDD機械硬碟快。
3d18a9b67e3b4982ad713a024317056f.jpg

三星也注意到這個問題了，未來也會重點關注QLC快閃記憶體的性能，目前他們使用的QLC快閃記憶體主要還是96層堆疊的V5 QLC，明年會跳過V6 QLC，直接進入176層的V6 QLC快閃記憶體時代。根據三星所說新一代QLC快閃記憶體性能好得多，寫入速度2.7倍、讀取速度也有2.6倍，不過這是針對V4 QLC快閃記憶體的，相比現在的V5 QLC大概能提升一倍，意味著寫入性能可提升到320MB/s。

不考慮快取加速，320MB/s的原始寫入性能已經相當可觀了，足以讓SSD性能重新超過HDD硬碟，並且跟TLC快閃記憶體一較高下，相關產品預計在明年上市。

消息來源
回復

使用道具 舉報

返回列表 發新帖
高級模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 註冊 |

本版積分規則

特別活動
專題活動
Computex報導
GAMFORCE
XFastest 專頁

SiteLock

相關資訊

小黑屋|手機版|無圖浏覽|網站地圖|XFastest  

GMT+8, 2025-2-19 00:19 , Processed in 0.076338 second(s), 33 queries .

專業網站主機規劃 威利 100HUB.COM

© 2001-2018

快速回復 返回頂部 返回列表