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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] 快閃記憶體”蓋樓”新紀錄，三星第八代V-NAND為228層：未來可達1000層

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sxs112.tw 發表於 2021-6-9 19:50:07 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
自從快閃記憶體進入3D時代，堆棧層數猶如摩天大樓一樣越來越高，從最初的24/32層一路堆到了現在的128層甚至176層。三星下一代的第八代V-NAND據說為228層，未來還可以做到1000層。
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目前全球半導體晶片產能緊張，NAND本身也是，三星準備藉此機會擴大生產規模，現在韓國平澤市的儲存晶片工廠已經是全球最大的，三星計劃建設第二座平澤工廠。在快閃記憶體技術上，三星的128層V-NAND已經量產，2021年下半年則會量產第7代V-NAND，堆棧層數提升到176層。

在“蓋樓”層數上，三星實際上已經落後於Micron，後者在去年底就推出了176層3D快閃記憶體，並且量產了，三星現在要奮起直追了。超越Micron的希望就是再下一代的第8代V-NAND，堆棧層數據說為228層，不過三星沒公佈具體情況，預計要到明年下半年才有可能量產。

至於未來的層數還能堆多高，早前有消息稱超過500層的話就會遇到難以克服的瓶頸，是當前3D堆棧的極限了，但三星的目標是希望超過1000層，這個就需要很多技術突破了。

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