5月6日消息IBM宣布造出了全球第一顆2nm製程的半導體晶片。核心指標方面,IBM稱該2nm晶片的電晶體管密度(MTr/mm2,每平方毫米多少百萬顆電晶體管)為333.33,幾乎是台積電5nm的兩倍,也比外界預估台積電3nm製程的292.21 MTr/mm2要高。
換言之在150mm2也就是指甲蓋大小面積內,就能容納500億顆電晶體管。實際上IBM此前也是率先造出7nm(2015年)和5nm(2017年)晶片的廠商,在電壓等指標的定義上很早就拿下主導權。
回到此次的2nm上,採用的是GAA(環繞柵極電晶體管)技術,IBM介紹這是第一次使用底介電隔離通道,它可以實現12nm的柵長,其內部間隔是第二代設計,有助於Nanosheets的開發。這也是第一次使用EUV曝光FEOL部分過程。需要注意的是IBM並沒有自己的晶圓廠,2014年其製造工廠賣給了GlobalFoundries,但兩者簽署了10年合作協議,另外IBM也和三星、Intel保持合作。
關於GAA晶體管技術,三星3nm、Intel 5nm以及台積電2nm均將首次採用。
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