找回密碼註冊
作者: sxs112.tw
查看: 52170
回復: 2

文章分享:

+ MORE精選文章:

+ MORE活動推薦:

NovaPeak 360 ARGB 玩家開箱體驗分享活動

NovaPeak 360 ARGB卓越的一體式水冷散熱解決方案,具有迷人的ARGB燈光 ...

極速WiFi 7 寫文競走開始!

RT-BE86U WiFi 7 無線路由器 極速三代目!出到第三代的86U系列受到 ...

EDEG 850W 玩家開箱體驗分享活動

EDEG 850W 雙艙首選,一體雙能 EDGE 系列電源,革命性的L型設計,內 ...

SAMA幻境界 玩家開箱體驗分享活動

[*]270度全景透側無打孔玻璃配置 , 完全符合您視覺的美感 [*]內建 ...

打印 上一主題 下一主題

[業界新聞] SK Hynix CEO:CPU和記憶體未來將合二為一

[複製鏈接]| 回復
跳轉到指定樓層
1#
sxs112.tw 發表於 2021-3-23 15:15:50 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
前不久Micron出售的3D Xpoint晶片工廠,其最早的設想之一就是打造非易失性記憶體,也就是記憶體、快閃記憶體合二為一。不過在SK Hynix看來,能和記憶體合體的其實是CPU。
restmb_idxmake_amp.php.jpg

在2021 IEEE國際可靠性物理研討會上,SK Hynix CEO李錫熙(Lee Seok-hee)公開了他的這一觀點,簡單來說CPU的一些計算功能將被整合到記憶體上。按照李錫熙的預測,先是CPU和記憶體之間的通道數增加,然後是記憶體處理速度增加,最終記憶體開始承擔部分計算任務,和CPU整合到一顆晶片中。

由於SK Hynix不生產CPU,那麼到底是誰取代誰呢?李錫熙話鋒一轉,回應稱需要的是跨行業合作。在會上SK Hynix還對核心業務DRAM和NAND做了單獨描摹,稱正在積極使用EUV光刻技術,並克服材料、結構、可靠性方面的諸多挑戰,在未來10年內大規模量產10nm級DRAM(1a nm、1b nm、1c nm……)、600層的3D快閃記憶體等。

消息來源

2#
clouse 發表於 2021-3-23 23:11:33 | 只看該作者
本帖最後由 clouse 於 2021-3-23 23:17 編輯

聽你再放屁鬼扯散熱是很大的問題到你下台,桌機都做不到.
3#
blair159 發表於 2021-3-24 00:04:04 | 只看該作者
clouse 發表於 2021-3-23 23:11
聽你再放屁鬼扯散熱是很大的問題到你下台,桌機都做不到.

DDR4的發熱量已經超低了...現在加散熱片的那些DDR4才是屁,加到1.6V還只要塔散的周邊風流就足已。明年DDR5標壓甚至還是1.1V

SK的發想是很前衛不知成效啦,但散熱早就不是問題了好嗎,不用在DRAM廠上班都知道
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 註冊 |

本版積分規則

小黑屋|手機版|無圖浏覽|網站地圖|XFastest  

GMT+8, 2024-10-8 22:46 , Processed in 0.148434 second(s), 33 queries .

專業網站主機規劃 威利 100HUB.COM

© 2001-2018

快速回復 返回頂部 返回列表