找回密碼註冊
返回列表 發新帖
作者: sxs112.tw
查看: 6021
回復: 0

文章分享：

+ MORE精選文章：

+ MORE活動推薦：

GEX PRO 850W玩家開箱體驗分享活動

卓越性能，超值選擇 GEX PRO 系列通過 80 PLUS 金牌認證，實現高達 ...

體驗極速WiFi 7！MSI Roamii BE Lite Mesh

第一名 guanrung1110 https://www.xfastest.com/thread-293988-1- ...

極致效能 為遊戲而生 990 PRO SSD 玩家體驗

[*]極致效能固態硬碟 [*]PCIe 4.0 速度大幅提升 [*]優化的電源效率 ...

Micron Crucial PRO D5 6400超頻版 玩家開

解銷更快的遊戲速度！ 利用低延遲遊戲記憶體的強大功能 利用 Cruci ...

打印 上一主題 下一主題

[記憶體 卡 碟] 三星在ISSCC 2021上展示256Gb 3nm MBCFET晶片

[複製鏈接]| 回復
跳轉到指定樓層
1#
sxs112.tw 發表於 2021-3-12 19:15:59 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在國際固態電路研討會（International Solid-State Circuits Conference，ISSCC）上，三星代工展示了朝著更小，更高效的製程邁出的新一步。展示的新晶片是採用SRAM技術的256Gb儲存晶片。但是在我們提到其背後的技術之前，所有這些聽起來並不有趣。三星首次在3nm半導體製程上使用該公司的全環繞場效電晶體(GAAFET)技術製造了一種晶片。正式的˙GAAFET技術擁有：使用奈米線作為電晶體管鰭片的常見GAAFET，以及使用以奈米片形式出現的較厚鰭片的多橋通道場效電晶體（Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor）。
3GxB0LreDxYbn1Kg.jpg

三星今天展示了首個使用MBCFET技術的SRAM晶片。該晶片是面積為56mm²的256Gb晶片。三星引以為豪的成就是與標準方法相比，該晶片的寫入功率降低了230 mV，因為MBCFET電晶體管使該公司擁有許多不同的節能技術。預計新的3nm MBCFET製程將在2022年的某個時候投入量產，但是像今天看到的那樣除了SRAM，我們還沒有看到邏輯晶片的展示。但是即使SRAM的展示也取得了很大的進步，我們渴望看到該公司如何利用新技術來打造。
4ihkOJ4k5ZDaUzIT.jpg


消息來源
回復

使用道具 舉報

返回列表 發新帖
高級模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 註冊 |

本版積分規則

特別活動
專題活動
Computex報導
GAMFORCE
XFastest 專頁

SiteLock

相關資訊

小黑屋|手機版|無圖浏覽|網站地圖|XFastest  

GMT+8, 2024-11-30 01:18 , Processed in 0.101659 second(s), 34 queries .

專業網站主機規劃 威利 100HUB.COM

© 2001-2018

快速回復 返回頂部 返回列表