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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] Kioxia推出162層3D快閃記憶體：產能增加70%、性能提升66%

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sxs112.tw 發表於 2021-2-19 20:31:59 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
在幾大快閃記憶體原廠的主力從96層升級到128/144層之後，Micron、SK Hynix之前推出了176層的3D快閃記憶體，現在Kioxia、WD也加入這一陣營，推出了162層3D快閃記憶體。各大廠商的3D快閃記憶體技術並不一樣，所以堆棧的層數也不同，Kioxia、WD使用的BiCS技術，堆棧層數並不是最高的，但是儲存密度不錯，這次162層相比之前的112層提升了10%的密度。
3D-NAND-WD-y-Kioxia-anuncian-las.jpg

這樣一來從112層提高到162層使得晶片的面積減少了40%，在同樣的300mm晶圓上可以多生產70%的容量，直接大幅降低了快閃記憶體成本。除了產能、成本上的改善，Kioxia的162層還改進了架構，將控制電路放置於儲存陣列下方，不僅減少了核心面積，還提高了性能，工作速度2.4倍提升，延遲減少了10% ，IO性能提升了66%，實現了性能、容量雙重提升。

Kioxia並沒有公佈162層3D快閃記憶體的量產時間，預期是要到2022年了，可能會在Kioxia、WD位於日本四日市的新建工廠量產。

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