支援0.4V FinFET：TSMC宣布N12e新製程細節

sxs112.tw · 發表於 2020-8-28 11:11:42

半導體行業發展的一大推動力，就是“始終連接設備”的爆發式增長。這些設備需要內建的晶片，才能完成相應的計算、通訊或控制。隨著物聯網（IoT）擴展到數十億計的設備，晶片製造商也需要為客戶開發出兼顧成本效益的低功耗製程，以將之推向一個全新的水平。在2020年的技術研討會上，TSMC就公佈了該公司最新的N12e製程的細節。

由路線圖可知，TSMC的低電功耗、低洩漏平台，主要圍繞流行製程進行技術優化。過去十年TSMC在90nm、55nm、40nm 和22nm製程上，都有推出過相應的低功耗版本。每一次的更新，都可帶來管芯面積和功耗的降低，以及針對特定需求的其它優化。不同的是此前的技術都是在平面上展開，而新一代N12e製程卻是針對未來的FinFET 。

在類似的情況下FinFET 的打造工作，將較平面電晶體管要復雜得多，成本的上升已是必然。不過在FinFET技術帶來的製程縮放和功耗控制的優勢面前，市場仍對其抱有濃厚的興趣。為求穩妥TSMC也沒有在很早的時候就推出FinFET 。而是在等待了數代之後，才將其最先進的FinFET設計放到了IoT市場，以便行業有足夠的時間來應對設計製造上的過渡緩衝。

與22ULL製程相比，TSMC承諾N12e可在同等功耗水平下將頻率提升至1.49 倍、或將同頻下的功耗降低55%，更別提增加了1.76倍的邏輯密度、以及支援0.4V的低電壓。換言之N12e 將TSMC針對IoT產品的晶片製程擴展到了更低的功率範圍，並且在其它功率水平下也可帶來更好的性能表現。其匯聚了TSMC在16nm製程上積累的經驗、並融入了12FFC+的改進，兩者均已被廣泛應用於高性能計算。

TSMC相信N12e 將為AI加速器提供低功耗支撐，讓下一代5G IoT邊緣設備更加普及，從而推動語音辨識、健康監測、機器視覺等領域的發展。最後GF的12FDX 平台，將成為N12e 的主要競爭對手。前者建立在該公司的12nm FD-SOI 技術之上，較同級FinFET 設計擁有更低的功耗和成本。

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