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[儲存裝置] Toshiba研製PLC快閃記憶體：控制器帶32組電壓、壽命堪憂

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sxs112.tw 發表於 2019-8-26 11:45:48 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
今年的快閃記憶體高峰會，Toshiba奉上不少東西。除了獲得展會最佳的XFMEXPRESS形態固態硬碟、乙太網路SSD、XL-Flash等，Toshiba在路線圖中還前瞻了SAS4、PCIe 5.0/6.0標準、甚至是BiCS第四、第五代、第六代、第七代產品，訊號頻寬分別高達800MT/s、1200MT/s、1600MT/s和超過2000MT/s。
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同時5bit/cell的PLC（Penta-level cell）也新鮮登場，儲存密度比QLC更高，但對控制器、電路設計的要求也更高。如圖所示，PLC需要控制器準確控制32路電壓，挑戰相當大。
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與MLC、TLC相比，QLC（4bit/cell）已經相當慢，並且讀寫壽命最低。不過Toshiba表示NVMe協議中的新功能如ZNS（分區命名空間）應該有助於緩解其中的一些問題。ZNS設計之初是用於減少寫入放大，減少過載和DRAM高佔用，當然也能提高吞吐量和改善延遲。
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另外從製程上，Toshiba也在研發分割式3D儲存製程工藝，看起來似乎是可以拼接QLC和PLC，以增加容量密度。

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