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作者: sxs112.tw
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[記憶體 卡 碟] Samsung開發出第3代10nm級DDR4記憶體:導入EUV技術、下半年量產

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sxs112.tw 發表於 2019-3-21 16:58:15 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
3月21日Samsung宣布開發出業內首款採用第三代10nm級製程的DRAM記憶體晶片,將用於高階應用場景,這距離Samsung量產1y nm 8Gb DDR4記憶體晶片僅過去16個月。第三代10nm級製程即1z nm(在記憶體製造中,用x/y/z指代,製程區間是10~20nm),整合了EUV光刻技術,單晶片容量8Gb(1GB)。
Samsung_1z-nm_8Gb_DDR4.jpg

Samsung表示1z nm是業內目前最頂尖的製程,生產效率較1y nm提升了20%,可以更好地滿足日益增長的市場需求。量產時間敲定在今年下半年,成品的8GB DDR4模組也在驗證中,目標領域是下一代企業級伺服器和2020年的高階PC產品。

Samsung還表示將在平澤市(Pyeongtaek)提高DRAM的產能,同時上述先進技術還將應用於未來的DDR5、LPDDR5、GDDR6產品上。不過就在昨天(3月20日),Samsung聯席CEO金基南(Kim Ki-nam)還指出,由於智慧機市場增長乏力,數據中心公司削減投資,公司的儲存晶片等零部件業務預計將面臨艱難一年。

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