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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] NVRAM推進到單晶片1Gb：記憶體/硬碟將加速統一

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sxs112.tw 發表於 2018-8-7 14:19:59 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
計算機界一直在探索NVRAM，即在保留DRAM速度快、延遲低（ns）優勢的情況下，做到永保數據。
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目前採用NAND的SSD是向NVRAM過渡的產物之一，業內還有FRAM（鐵電隨機存取記憶體）、磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)、可變電阻式記憶體（ReRAM）以及Intel已經商用化的相變隨機存取記憶體（PCRAM）即3D Xpint技術形態。MRAM近年來受到的關注度很高，Everspin開發完成後（STT-MRAM，旋轉移力矩式記憶體），三星、Micron、高通、Toshiba等都在跟進。

MRAM與NAND的主要不同體現在結構原理，前者依賴的是不同的磁性取向來儲存訊息，後者則是電荷儲存訊息，電荷儲存的主要問題是需要以較高的電壓完成寫入，且可靠性隨時間逐漸損耗。對比之下MRAM不僅可靠性/耐用性大大提升，同時依然可以維持ns等級的低延遲。

據Anandtech報導，Everspin目前生產的MRAM單晶片是256Mb，年底將試樣1Gb（128MB），採用GF的22nm FD-SOI製程。與此同時IBM宣布，將在今天開幕的快閃記憶體高峰會上展示FlashCore系列新品SSD，容量19.2TB，採用3D TLC快閃記憶體（64層），控制器為FPGA晶片，快取用的是Everspin的MRAM，大小128MB 。
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IBM表示FPGA控制器配合傳統的DRAM不能提供更好的寫入加速，壽命很低，所以選擇了Everspin的MRAM。這款SSD採用U.2，支援NVMe規範，可走PCIe 4.0通道。

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