找回密碼註冊
返回列表 發新帖
作者: sxs112.tw
查看: 4477
回復: 0

文章分享：

+ MORE精選文章：

+ MORE活動推薦：

極致效能優化 三星990 EVO 玩家體驗分享活

[*]進化日常效能 極致效能優化、電源效率提升、廣泛的通用 ...

FSP VITA GM White 玩家開箱體驗分享活動

中秋佳節，全漢加碼活動來囉~ [*]符合最新 Intel ® ATX 3.1電源設 ...

FV150 RGB 玩家開箱體驗分享活動

粉紅控趕快看過來.......廠商加碼活動來囉~ 心動了嗎? 想取得體驗 ...

海韻創新技術分享會 會後分享--得獎公告

頭獎：dwi0342 https://www.xfastest.com/thread-290899-1-1.html ...

打印 上一主題 下一主題

[記憶體 卡 碟] 三星第二代10nm等級8Gb DDR4記憶體投產，以後高頻記憶體3600MHz起跳

[複製鏈接]| 回復
跳轉到指定樓層
1#
sxs112.tw 發表於 2017-12-21 09:11:40 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
三星剛才宣布量產第二代10nm（1y-nm）的8Gb DDR4記憶體顆粒，新的記憶體擁有更高的頻率與更低的供貨，以及更小的尺寸，產能可以比初代10nm（1x -nm）的高30%，然而價格嘛……應該暫時不會降。
152734hgnhyyojbgwwy1mm.jpg

新的1y-nm 8Gb DDR4顆粒採用了先進的專用電路設計技術，性能水平與效能會比1x-nm的高約10%到15%，它能夠在3600MHz下運行，而1x-nm的8Gb DDR4顆粒則是3200MHz，也就是說以後的高頻記憶體要以3600MHz起跳了。

目前1y-nm記憶體的生產還沒有用上EUV極紫外光設備，這次用的是高靈敏度細胞數據感測系統（high-sensitivity cell data sensing system）與空氣墊片（air spacer）方案，前者可以更準確地確定每個單元中儲存的數據，從而顯著提高電路整合度和生產效率，後者是在位線周圍佈置獨特的空氣墊片，這樣可以顯著降低寄生電容。

現在1y-nm DDR4記憶體模組已經完成了與CPU廠商的相關驗證工作，接下來計劃於全球IT客戶合作，開發下一代計算系統，隨著1y-nm記憶體投產所帶來的技術儲備，三星可以加速下一代記憶體產品DDR5、HBM3、LPDDR5以及GDDR6上的研發，可以進一步鞏固三星在儲存市場上的地位。

消息來源
回復

使用道具 舉報

返回列表 發新帖
高級模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 註冊 |

本版積分規則

特別活動
專題活動
Computex報導
GAMFORCE
XFastest 專頁

SiteLock

相關資訊

小黑屋|手機版|無圖浏覽|網站地圖|XFastest  

GMT+8, 2024-9-25 08:25 , Processed in 0.109802 second(s), 34 queries .

專業網站主機規劃 威利 100HUB.COM

© 2001-2018

快速回復 返回頂部 返回列表