東芝、西數宣佈新一代BiCS 3D NAND快閃記憶體：64層堆疊，2017年上市

wu.hn8401 · 發表於 2016-7-28 12:32:13

東芝、西數此前宣佈四日市的新工廠竣工，並且早就開始生產3D NAND快閃記憶體了，現在雙方又公佈了其3D NAND快閃記憶體的最新進展——64層堆疊的BiCS 3D快閃記憶體已經開始出樣，預計2017年上半年正式量產。

三星在3D NAND快閃記憶體上量產時間最早，產能也是最高的，領先其他公司至少三年時間，其V-NAND技術的3D NAND已經發展到第三代了，48層堆疊。東芝、西數此前宣佈四日市的新工廠竣工，並且早就開始生產3D NAND快閃記憶體了，現在雙方又公佈了其3D NAND快閃記憶體的最新進展——64層堆疊的BiCS 3D快閃記憶體已經開始出樣，比之前的48層堆疊更先進，預計2017年上半年正式量產。

東芝、西數宣佈出樣64層堆疊的3D NAND快閃記憶體

對於3D NAND快閃記憶體，全球四大NAND豪門——三星、東芝/西數（閃迪已經被西數拿下）、SK Hynix、美光/Intel都有不同的解決方案，堆疊的層數也不同，此前我們在超能課堂(36)：3D NAND快閃記憶體是什麼，引中國廠商競折腰？一文中簡單介紹過他們的3D NAND快閃記憶體。

作為NAND快閃記憶體的發明人，東芝研發的3D NAND使用的是BiCS技術，號稱在所有3D NAND快閃記憶體中BiCS技術的快閃記憶體核心面積最低，也意味著成本更低。目前量產的是48層堆疊，MLC類型的核心容量128Gb，TLC類型的容量可達256Gb。

東芝、西數目前宣佈的新一代BiCS快閃記憶體是64層堆疊的，核心容量256Gb（32GB），未來還會推出容量高達512Gb的產品。東芝表示64層堆疊的3D NAND快閃記憶體單位面積容量增加了40%，每片晶圓所能生產的NAND容量也變大了，成本隨之降低。

東芝的64層堆疊3D NAND快閃記憶體已經開始出樣給客戶，2016年底有可能看到部分零售產品，但真正規模量產還要等到2017年上半年。

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