2016年半導體的主流工藝是14/16nm FinFET工藝,主要有Intel、TSMC及三星/GlobalFoundries(格羅方德)三大陣營,下一個節點是10nm,三方都會在明年量產,不過10nm主要針對低功耗移動晶片,下下個節點7nm才是高性能工藝,是首次突破10nm極限,也是三方爭搶的重點,TSMC及三星都準備搶首發。不過此前缺席了的GlobalFoundries公司這一次殺回來了,誓言在7nm節點領先。
IBM、GF去年率先公佈了7nm工藝的突破進展
在7nm節點上,Intel表態很謹慎,14nm及10nm工藝都要戰三代,7nm工藝要等到2020年了,但是TSMC和三星就激進多了,三星前不久鉅資購入了EUV光刻機,希望在明年開始試產7nm工藝,TSMC公司也不甘落後,聯合CEO劉德音日前表態稱7nm工藝的SRAM良率已達30-40%,將是業界首家通過7nm工藝認證的半導體公司。
在這三家公司之外,還有一家公司不容忽視——從AMD半導體業務剝離出來的GlobalFoundries(格羅方德)公司,雖然被稱為AMD的GF,但他們現在已經跟AMD沒多大關係了,AMD的股份已經全都出手了,雙方現在更像是一般的代工合作夥伴關係。
GlobalFoundries此前在半導體工藝上走的磕磕絆絆,但在14nm節點果斷放棄自研工藝轉而選擇了三星14nm FinFET授權,現在已經走上正規了,不過他們顯然不會甘心於此,2014年收購了IBM公司的晶圓廠業務——他們沒花錢,反倒是IBM補貼了15億美元。
GlobalFoundries在這次收購中獲得了大量有經驗的員工,這對推動新工藝研發很有幫助。去年7月份,GlobalFoundries聯合IBM、三星及紐約州立大學率先推出了7nm工藝,他們也要在新一代工藝上保持領先了。
日前GlobalFoundries公司CTO。高級副總Gary Patton透露了他們的7nm工藝進展,表示已經激進地縮減了新工藝的柵極間距(pitch,衡量工藝水準的關鍵指標之一,數值越小越好)。
Patton表示他們在紐約州馬爾他市的晶圓廠正在量產14nm工藝,這為他們開發更先進的工藝奠定了基礎。
對於7nm,Patton聲稱即便沒有EUV工藝,他們的新工藝也能降低晶圓成本。
按照Patton的預計,EUV工藝預計會在2020年量產,2018/2019年可能會少量生
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