2016年新一代顯卡旗艦顯卡無疑會用上最先進的HBM 2顯存,但主流顯卡全面升級HBM顯存不現實,畢竟HBM的成本和產量還是個問題,遠不如GDDR5顯存主流。美光主導的GDDR5X顯存成為主流顯卡的一個新選擇,年初已經被納入了JEDEC標準。根據美光日前公佈的進展,GDDR5X顯存預計會在今年夏季量產,使用20nm工藝,顆粒容量8Gb(1GB),速率已達13Gbps,還有潛力提升到更高。
GDDR5X顯存可以視作目前GDDR5顯存的改良版,在不改變基本架構的情況下將GDDR5顯存頻寬大幅提升,因為GDDR5X顯存的預取資料位元寬從8bit翻倍到了16bit,顯存資料頻率可從目前的5-7Gbps大幅提升到10-12Gbps,JEDEC標準規定的是10-14Gbs,未來還可以提高到16Gbps。
如果是14Gbps速率,那麼GDDR5X顯存可以在顯存位元寬不變的情況下將顯存頻寬在目前的基礎上提升一倍,GM204核心的顯存位寬將從224GB/s提升到448GB/s。
GDDR5X顯存主要是美光在推,顯存標準已經就緒,就看何時能量產上市了。根據美光顯存業務部門總監Kristopher Kido公佈的消息,他們準備在今年夏天量產GDDR5X顯存。德國慕尼克的美光人員不僅比預期進度更快地拿出了工作樣品,而且目前的速率已經達到了13Gbps,整個項目的進展比想像的還要順利。
13Gbps的速度已經達到了JEDEC的標準,不過這顯存不是GDDR5X顯存的終點,美光表示會繼續挖掘GDDR5X顯存的潛力,有信心繼續提升頻率、頻寬。
美光的第一代GDDR5X顯存將使用20nm工藝生產,GDDR5X顆粒容量為8Gb,也就是說單顆容量可達1GB,普通4GB顯存顯存只要4片顯存晶片即可。
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