AMD今年的Fiji核心顯卡上用上了HBM高頻寬記憶體，性能很好很強大，只是目前HBM顯存只有SK Hynix量產了，一家獨大的後果就是產能較低，不利於降低成本。作為全球最大的記憶體廠商，三星自然不會放過HBM這塊肥肉，明年也會開始量產HBM記憶體，不僅可以用於顯卡、HPC，還會用於其他市場。此外，目前的DDR4記憶體已經走向正軌，三星開始討論後DDR4時代了，過不了幾年可能就會推出DDR5記憶體了，頻寬比目前的DDR4要翻倍。
三星明年也要量產HBM記憶體
作為最大的贊助商之一，三星也在Intel的IDF會議上展示了新一代記憶體技術的發展情況。根據德國Computerbase網站的報導，三星明年初將會量產HBM記憶體，不僅會用於顯卡、HPC，未來還會用於網路及其他市場。
值得注意的是，三星的起點非常高，HBM記憶體顆粒的容量是8Gb起（這更像是HBM2的水準了），還會有2H（雙層堆疊）、4H（4層堆疊）、8H（8層堆疊）三種級別，不同的晶片可以搭配單顆、2顆、4顆及6顆HBM晶片，因此最大容量可達48GB，頻寬超過1.5TB/s。
也要通過TSV工藝才能實現與晶片集成
存儲系統不同的需求配置
大容量非易失性存儲技術的需求
此外，Intel、美光聯合開發的3D XPoint技術已經在NVDIMM非易失性記憶體上邁出了一步，三星目前還沒有與之競爭的產品，不過三星顯然也在開發類似的技術，可能的選擇有STT-MRAM（自旋磁阻隨機記憶體）、PRAM、Re-RAM等等。
新一代非易失性記憶體技術
三星開始討論後DDR4記憶體時代了
最後三星還提到了後DDR4時代，目前DDR4記憶體已經開始走上正軌，雖然還沒有完全取代DDR3，但這是遲早的事了，下一代記憶體——很可能叫做DDR5，也要開始準備了。
根據三星的描述，目前的DDR4記憶體頻率在1.6-3.2 Gbps之間，每通道頻寬約為25.6GB/s，DDR5記憶體頻率則會達到6.4Gbps左右，每通道頻寬提升到51.2GB/s，同時核心容量8-32Gb，使用10nm以下的工藝製造。
DDR5記憶體目前還只是概念階段，介面及架構什麼的其實都沒定呢，三星預計2018年左右會製造出來原型，2019年可能會形成技術標準，2025年走向主流。
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