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作者: wu.hn8401
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[業界新聞] 突破性RRAM技術:未來硬碟或只有一張郵票大小

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wu.hn8401 發表於 2014-12-25 15:22:05 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
【XFastest訊】根據國外媒體報導,大家都知道固態硬碟的速度快得驚人,但存儲容量(以及價格)卻似乎成為了它最大的“硬傷”。好消息是,通過所謂的“3D NAND”方案(基於現有的SSD技術)——在存儲晶片的核心上堆疊更多的層位——英特爾和三星已經解決了這個問題。此外,新款三星850 EVO已經能夠在U盤大小的外殼中,封裝下120GB的存儲容量。當然,大家的研究不會止步於此。
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Crossbar(一家成立於2010年的初創企業),已經在另一種替代品——“電阻式隨機存儲記憶體”(resistive random access memory,簡稱RRAM)上——投入了大量的時間和資金。
這是一種“非易失性”的隨機存取器,可以在切斷外接供電的情況下保存資訊。相比之下,電腦上的DRAM記憶體會在斷電後即丟失資料。
Crossbar的方法是將RRAM堆成一個立方體狀的結構,並且在三個維度上展開。如此一來,在單晶片上提供1TB的存儲容量也在理論上有了可能。

不過這麼做也會有點問題,那就是“電流洩露”會造成功耗大幅增加,甚至導致整塊“硬碟”根本無法使用。
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巧妙的是,Crossbar採用了“多個並行傳導路徑來控制電流洩露,以限制陣列的最大規模和增加的功耗”的方式。
工程師將該技術稱作“單晶體管驅動電子存儲單元”(1 Transistor Driving n Resistive memory cell),簡稱“1TnR”——其可以將高達2000個存儲單元連結到一起。
Crossbar稱,該公司已經驗證過這項避免電流洩露的技術,這意味著我們距離實際用上高容量驅動器又進了一步。更重要的是,該設計可承受上億次的使用週期,開關狀態切換的延時也只有50ns不到。
最後,鑒於該公司並未透露有哪些“阿爾法客戶”對這項技術感興趣,因此在2015年年末之前,我們或許還無法在消費級零售市場見到相關產品。


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admin 發表於 2014-12-26 13:52:19 | 只看該作者
最新最夯的新聞直擊,請鎖定XFastest 活動採訪 https://xfun.cc/lsoee
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XF-Staff 發表於 2014-12-28 06:21:41 | 只看該作者
發文者骨骼精奇,發文風格特異,敢問有沒有興趣跟著XF團隊深造
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XF-Team 發表於 2014-12-29 09:30:37 | 只看該作者
優質好文值得回文鼓勵,更多深度評測看這裡 https://xfun.cc/apx5u
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