【XFastest訊】2014年8月7消息,三星的V-NAND隨著850 Pro的發佈開始正式進入消費級市場,目前的V-NAND是第二代,最大32層堆疊,NAND基礎還是40nm工藝的MLC快閃記憶體,剛剛測試得出的P/E次 數達到了6000次,可靠性還不錯。但是,以三星的鳥性,TLC快閃記憶體怎麼可能放過V-NAND,三星有計劃把TLC快閃記憶體也做成V-NAND那樣的3D堆疊,或許不久之後我們就能見到850 Evo固態硬碟了。
用不了多久,我們就可以看到TLC快閃記憶體的850 EVO取代840 EVO了
在前不久三星的SSD全球會議上,Techreport得知三星有計劃推出3bit V-NAND,只不過三星在透露消息方面一貫很小氣,就是不肯說具體細節,不過TR表示在第二代V-NAND發佈會上三星提到了今年底會推出容量密度更高的硬碟,或許指的就是這個TLC版的V-NAND快閃記憶體。具體命名也不確定,不過慣例可能會用850或者850 EVO這樣的名字。
雖然TLC名聲不是很好,但是TLC快閃記憶體對提高容量密度、降低成本大有裨益,而性能、可靠性上的問題可以通過其他方式彌補,比如三星的840 EVO就使用了SLC緩存的方式改善了寫入速度,所以只要技術成熟,NAND廠商們還是會上TLC快閃記憶體的,三星起了頭,美光很快也會跟進。
此外,V-NAND技術在某種程度上也能改善TLC快閃記憶體的缺點,立體多層堆疊的封裝使得TLC快閃記憶體對制程的要求沒有這麼高了,還可以減少干擾,這也有助於改善寫入性能。
總之,不管某些用戶是否接受TLC快閃記憶體,三星力推的態度是改不了的,特別是有了V-NAND技術的輔助之後,TLC快閃記憶體的一些缺點更有了明顯改善,三星遲早會推TLC版的V-NAND快閃記憶體,快的話今年底就能見到850 EVO這樣的產品了。
可以預想,一旦TLC快閃記憶體的V-NAND硬碟上市,屆時又免不了引起很多爭議。TLC快閃記憶體理論上壽命會少很多,不過新技術的進度也不可阻擋,對TLC快閃記憶體唯一的質疑應該是:如果它的成本比MLC更低,為何市面上的TLC硬碟相對MLC硬碟並沒有價格優勢呢?三星解決了這個問題才更有利於TLC快閃記憶體為人廣泛接受。
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