施耐德電機採用Cypress 1-Mbit nvSRAM序列元件開發兩款全新可編程自動化控制器

XF-News · 發表於 2013-1-4 21:14:00

透過高度耐用的nvSRAM作為時間標記的緩衝記憶體，以紀錄關鍵的系統錯誤

Cypress Semiconductor (NASDAQ: CY)宣布施耐德電機指定採用Cypress的非揮發靜態隨機存取記憶體(nvSRAM)，運用在兩款新型可編程自動化控制器。施耐德電機的BMXCRA31210 與BMXERT1604控制器皆採用Cypress CY14B101Q2 1-MbitnvSRAM作為時間標記緩衝記憶體。當系統偵測到開關關閉或電線失效等事件時，nvSRAM就會將事件訊息記錄到滾動式緩衝記憶體。由於這些類型的事件在產品的生命週期內可能會發生無數次，因此必須採用極可靠的元件來執行這項功能。

施耐德電機工業控制事業部Plant解決方案控制行銷經理Marc Lafont表示：「Cypress nvSRAM序列的小尺寸規格，為施耐德BMXCRA31210及BMXERT1604兩款可編程自動化控制器，提供卓越的效能與可靠性。尤其自動化應用設備必須具備可靠的事件記錄機制，而Cypress的nvSRAM在這方面的表現極為優異。」

施耐德電機工業控制事業部硬體工程師Jean-JacquesAdragna表示：「CypressnvSRAM的團隊與我們合作密切，不僅共同開發設計同時也提供卓越的支援，因此可透過免電池的nvSRAM序列推出新產品，不僅符合環保要求，還能滿足我們顧客所期待的可靠性。」

Cypress公司非揮發性產品事業部副總裁Babak Taheri表示：「我們在2010年開始銷售nvSRAM序列後即帶動所屬事業部門快速成長，而受到施耐德電機這樣引領工業控制解決方案供應商的青睞，就是最好的證明。我們小尺寸的nvSRAM序列擁有無與倫比的耐用性，為我們的客戶提供一個可信任的安全網，即使在電源中斷後仍可儲存關鍵資訊。」

容量1-Mbit的nvSRAMs序列產品提供8與16針腳SOIC封裝，Cypress的nvSRAM採用其S8™ 0.13微米SONOS(矽氧氮氧矽)嵌入式非揮發性記憶體技術，不僅造就更高的密度，還改進了存取時間與效能。對於像磁碟陣列、工業控制與自動化(例如PLC、動作控制、馬達驅動、及機械人)、單板電腦、銷售點管理系統、電子儀表、汽車、醫療、以及資料通訊系統等，需要讓非揮發性記憶體中資料維持絕對安全的應用而言，nvSRAM序列是理想的解決方案。

關於Cypress nvSRAMs
Cypress的nvSRAM採用儲存在外部而非電池內的電容，因此能相容於標準PCB電路板的組裝製程。Cypress的nvSRAM符合禁用物質防制法 (ROHS) 規範，可直接取代SRAM、電池供電SRAM (BBSRAM) 與EEPROM元件，提供高速非揮發資料儲存功能。在關閉電源時，系統會自動把SRAM內的資料傳送到元件內的非揮發儲存區。在啟動電源時，資料再從非揮發性記憶體回存至SRAM。在儀表、工業、汽車以及磁碟陣列等方面的應用中，nvSRAM提供高速資料傳輸，並在供電中斷時能確保資料完整性，不需要電池供電。

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