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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] 三星計劃在2026年推出400層V-NAND，並在2027年實現DRAM技術進步

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sxs112.tw 發表於 前天 08:29 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
三星目前正在量產其今年4月推出的286層第9代V-NAND快閃記憶體晶片。但根據韓國經濟日報報導該公司的目標是到2026年推出至少有400個堆疊層的V-NAND 記憶體晶片。公司將以最大限度地提高容量。然而堆疊超過300層被證明是一個真正的挑戰，因為記憶體晶片經常損壞。為了解決這個問題，據報導三星正在開發改進的第10代V-NAND，它將使用垂直鍵合 (BV) NAND技術。這個想法是在垂直粘合之前在不同的層上製造儲存和外圍電路。這是對目前共同封裝 (CoP) 技術的重大轉變。三星表示新方法將使單位面積的位元密度提高1.6倍（60%），進而提高資料速度。
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三星的路線圖確實雄心勃勃，計劃在2027年推出第11代NAND，預計I/O速率提高50%，隨後到2030年推出1,000層NAND晶片。​目前佔據HBM 36.9%市佔率的市場領導者三星也計劃在DRAM領域推出第六代10nm DRAM，即1c DRAM，預計在2025年上半年推出。該公司希望在2026年推出第一代1d nm（仍為10nm），並希望到2027年發布其第一代sub-10 nm DRAM或0a DRAM記憶體，該記憶體將使用類似於NAND快閃記憶體垂直通道電晶體(VCT) 3D結構利用。

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