Rambus詳細介紹了其下一代HBM4記憶體控制器,該控制器將顯著提升現有的HBM3和HBM3E解決方案。
隨著JEDEC逐步敲定HBM4記憶體規範,我們初步了解了下一代解決方案將提供的功能。 HBM4記憶體解決方案主要針對人工智慧和資料中心市場,將持續擴展現有HBM DRAM設計的功能。
從細節開始,Rambus宣布推出HBM4 記憶體控制器,該控制器將提供超過6.4Gb/s的速度,這應該比第一代HBM3解決方案更快,同時使用相同的16-Hi堆疊提供比HBM3E解決方案更多的頻寬,並且最大容量64GB設計。 HBM4的起始頻寬額定為1638GB/s,比HBM3E高33%,比HBM3高2倍。
目前HBM3E解決方案的運行速度高達9.6Gb/s,每個堆疊的頻寬高達1.229TB/s。借助HBM4,記憶體解決方案將提供高達10Gb/s的速度和每個HBM介面高達 2.56GB/s的頻寬。這將比HBM3E提高2倍以上,但HBM4記憶體的全部功能暫時不會被看到,只有在產量提高後才可以使用。 HBM4記憶體解決方案的其他功能包括ECC、RMW(讀-修改-寫)、錯誤清理等。
據報導截至目前,SK Hynix已開始量產其12層HBM3E,容量高達36GB,速度為9.6Gbps,而其下一代HBM4預計將於本月Tape-Out。同時三星預計將於2025 年底大規模生產HBM4,預計本季Tape-Out。
截至目前NVIDIA的Rubin GPU預計將於2026年上市,將成為第一個支援HBM4記憶體的AI平台,而Instinct MI400預計也將採用下一代設計,但AMD尚未證實這一點。
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