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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] 三星第9代290層V-NAND將於下個月推出，第10代430層NAND將於2025年推出

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sxs112.tw 發表於 2024-4-13 17:56:25 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
三星計劃將NAND快閃記憶體產業提升到一個新的水平，該公司披露了第9代和其多達430層的第10代V-NAND解決方案。

由於消費者需求疲軟和高庫存，NAND快閃記憶體市場在過去連續幾季從嚴峻的經濟狀況中迅速復甦。然而現在我們已經經歷過了，似乎創新已經開始了，三星推出了相對高階的NAND，稱為第9代V-NAND快閃記憶體。此類型的堆疊層數高達290層，為市場樹立了新的標準。
Samsung-SSD-V-NAND.jpg

韓國媒體報導稱三星計劃在下個月發布第9代NAND標準，很可能會接替上一代的236層堆疊。該行業似乎很可能被拖入堆疊競賽，到目前為止三星看起來遠遠領先 SK Hynix和Kioxia等競爭對手。有趣的是這家韓國龍頭也宣布了令人震驚的430層堆疊的NAND產品（第10代V-NAND），預計明年推出。

三星最新第9代NAND的另一個令人興奮的方面是雙堆疊技術，該技術側重於透過多個通道孔擠壓更多層。而且與傳統的堆疊方法相比，該製程的成本要低得多。

過去幾個月NAND產品的利用率急劇增加，主要是由於涉及人工智慧推理的產品的使用，因為它們需要大量的高速儲存。最終這促使了未來的巨大需求，這將促進三星等NAND快閃記憶體生產商在這一領域的發展。

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