在今年的VLSI技術和電路研討會上Samsung Foundry將展示該公司用於數據中心CPU和GPU等HPC應用的SF4X製程技術。
Samsung Foundry代表將在2023年VLSI技術和電路研討會上發表論文“Highly Reliable/Manufacturable 4nm FinFET Platform Technology (SF4X) for HPC Application with Dual-CPP/HP-HD Standard Cells”。即將舉行的研討會的展示文件將討論以下內容：
在本文中成功展示了確保HPC應用的最升級4nm（SF4X）。主要特點是 (1) 透過先進的SD應力工程、電晶體管級DTCO (T-DTCO) 和[中間線]MOL方案，顯著提高性能+10%，功率降低 -23%，(2) 新的HPC選項：超低電壓器件 (ULVT)、高速SRAM和高Vdd操作保證了新開發的MOL方案。
SF4X增強已被產品證明可帶來CPU Vmin降低 -60mV / IDDQ -10%變化降低以及改進的SRAM製程餘量。此外為了確保高Vdd操作，接觸柵極擊穿電壓提高了 >1V而沒有性能下降。這種SF4X技術在廣泛的操作範圍內為各種應用提供了巨大的性能優勢。
三星Foundry的新SF4X將與競爭對手台積電競爭，其N4P/N4X製程技術將在未來幾年內發布。由於缺乏早期的性能評分，目前尚不清楚哪種製程技術將使HPC客戶以及成本和效率受益的性能水平。然而該公司聲稱新的SF4X將為HPC數據中心應用提供卓越的功率和性能。由於HPC是業界需要高性能計算水平、能源等的一個大話題，該公司希望其廣泛的客戶群將採用新的製程技術。目前AMD、Intel、NVIDIA等公司以及Ampere、Graphcore和IBM等公司都需要採用HPC的流程製程。
高性能計算應用對數據中心的處理器和GPU處理大量計算的需求很高。在討論HPC應用時，機器學習和人工智慧是同義詞。三星和台積電努力創造新的和更複雜的製程來滿足客戶的需求。三星正在展示一項技術該技術將提供顯著的性能提升+10%，功率降低 -23%，並且非常需要，因為它將有可能節省間接成本，同時還可以限制環境風險。
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