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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] SK hynix將以世界最高的238層4D設計將NAND推向極限，預計1H 2023量產

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sxs112.tw 發表於 2022-8-3 11:04:30 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
就在Micron宣布其232層NAND技術幾天後，SK hynix宣布他們將提供世界上最高的採用4D設計的238層NAND設計，並預計將於2023年上半年投入生產。
Figure-1.-SK-hynix-Develops-Worlds-Highest-238-Layer-4D-NAND-Flash.jpg

該公司最近向客戶交付了238層512Gb (TLC)* 4D NAND產品的樣品，並計劃於2023年上半年開始量產。該公司在聖克拉拉舉行的2022年快閃記憶體高峰會上公佈了最新產品的開發。SK hynix NAND開發負責人Jungdal Choi表示SK hynix透過推出採用其4D NAND技術的238層產品，在成本、性能和品質方面確保了全球頂級競爭力。

該產品在實現最高層數238層的同時，同時也是尺寸最小的NAND，這意味著它的整體生產率比176層NAND提高了 34%，因為每片晶圓可以生產更多單位面積密度更高的晶片，238層產品的數據傳輸速度為每秒2.4Gb，比上一代提升了50%。數據讀取所消耗的能源量減少了 21%，這一成就也符合公司的ESG承諾。238層的產品將首先用於作為PC儲存設備的客戶端SSD，然後再提供給智慧手機和伺服器的大容量SSD。該公司還將在明年推出1 Terabit (Tb)的238層產品，與目前的512Gb 產品相比，密度翻了一倍。

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