Intel高級副總裁兼技術開發總經理Ann Kelleher博士
昨天，Intel發布了公司有史以來最詳細的製程工藝和封裝技術路線圖，展示了一系列底層技術創新。
除了公佈其近十多年來首個全新晶體管架構RibbonFET 和業界首個全新的背面電能傳輸網路PowerVia之外，Intel還重點介紹了迅速採用下一代極紫外光刻（EUV）技術的計劃，即高數值孔徑（High-NA）EUV。
據悉，Intel有望率先獲得業界第一臺High-NA EUV光刻機。
Intel CEO帕特·基辛格表示，基於Intel在先進封裝領域毋庸置疑的領先性，我們正在加快製程工藝創新的路線圖，以確保到2025年製程性能再度領先業界。
Intel正利用我們無可比擬的持續創新的動力，實現從晶體管到系統層面的全面技術進步。在窮盡元素周期表之前，我們將堅持不懈地追尋摩爾定律的腳步，並持續利用硅的神奇力量不斷推進創新。
Intel技術專家詳述了以下路線圖，其中包含新的節點命名和實現每個製程節點的創新技術：
基於FinFET晶體管優化，Intel 7與Intel 10nm SuperFin相比，每瓦性能將提升約10%-15%。2021年即將推出的Alder Lake客戶端產品將會採Intel 7工藝，之後是面向數據中心的Sapphire Rapids預計將於2022年第一季度投產。
Intel 4完全採用EUV光刻技術，可使用超短波長的光，刻印極微小的圖樣。憑借每瓦性能約20%的提升以及晶元面積的改進，Intel 4將在2022年下半年投產，並於2023年出貨，這些產品包括面向客戶端的Meteor Lake和麵向數據中心的Granite Rapids。
Intel 3憑借FinFET的進一步優化和在更多工序中增加對EUV使用，較之Intel 4將在每瓦性能上實現約18%的提升，在晶元面積上也會有額外改進。Intel 3將於2023年下半年開始用於相關產品生產。
Intel 20A將憑借RibbonFET和PowerVia兩大突破性技術開啟埃米時代。RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度，同時實現與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小。
PowerVia是Intel獨有的、業界首個背面電能傳輸網路，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信號傳輸。Intel 20A預計將在2024年推出。Intel也很高興能在Intel 20A製程工藝技術上，與高通公司進行合作。
2025年及更遠的未來：從Intel 20A更進一步的Intel 18A節點也已在研發中，將於2025年初推出，它將對RibbonFET進行改進，在晶體管性能上實現又一次重大飛躍。
Intel還致力於定義、構建和部署下一代High-NA EUV，有望率先獲得業界第一臺High-NA EUV光刻機。Intel正與ASML密切合作，確保這一行業突破性技術取得成功，超越當前一代EUV。
Intel高級副總裁兼技術開發總經理Ann Kelleher博士表示：“Intel有著悠久的製程工藝基礎性創新的歷史，這些創新均驅動了行業的飛躍。我們引領了從90 nm應變硅向45 nm高K金屬柵極的過渡，並在22 nm時率先引入FinFET。憑借RibbonFET和PowerVia兩大開創性技術，Intel 20A將成為製程技術的另一個分水嶺。”
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