找回密碼註冊
返回列表 發新帖
作者: sxs112.tw
查看: 7496
回復: 0

文章分享：

+ MORE精選文章：

+ MORE活動推薦：

FIT V DDR5 電競/超頻記憶體 玩家開箱體驗

FIT V DDR5 電競/超頻記憶體最 FIT 專業工作者的效能首選 [*]靈巧俐 ...

華碩 極速WiFi 7 寫文競走開始！-- 得獎公

第一名 dwi042 https://www.xfastest.com/thread-294970-1-1.html ...

Ducky One X 玩家開箱體驗分享活動

重新定義類比鍵盤 全球首款電感式鍵盤 Ducky One X導入最新的類比軸 ...

UNI FAN TL Wireless LCD 120 ARGB 玩家開

[*]1.6吋液晶屏，解析度為400×400。 [*]支援 GIF、MP4、JPG 和 PN ...

打印 上一主題 下一主題

[處理器 主機板] 取代FinFET：三星計劃首發3nm GAA製程晶片、性能約提高30%

[複製鏈接]| 回復
跳轉到指定樓層
1#
sxs112.tw 發表於 2020-1-2 19:49:46 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
據韓國媒體報導三星電子事實上的領導人李在鎔（Lee Jae-yong）今日討論了三星利用全球首個3nm製程製造晶片的戰略計劃。
SFF2019-1 12.jpg

該報導稱李在鎔今日參觀了三星電子位於京畿道華城（Hwaseong）的半導體研發中心。這也是李在鎔在2020年的首個官方行程，期間他聽取三星電子3nm製程技術報告，並與半導體部門主管討論了新一代半導體戰略。

據三星電子稱李在鎔討論了三星計劃採用正在研發中的最新3nm GAA製程技術來製造尖端晶片的計劃。GAA被認為是當前FinFET技術的升級版，能確保晶片製造商進一步縮小體積。

去年4月三星電子完成了採用EUV的5nm FinFET製程技術的研發。如今該公司正在研究下一代製程技術（即3nmGAA）。三星電子表示，與5nm製程相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%。

消息來源
回復

使用道具 舉報

返回列表 發新帖
高級模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 註冊 |

本版積分規則

特別活動
專題活動
Computex報導
GAMFORCE
XFastest 專頁

SiteLock

相關資訊

小黑屋|手機版|無圖浏覽|網站地圖|XFastest  

GMT+8, 2025-2-18 21:33 , Processed in 0.138896 second(s), 34 queries .

專業網站主機規劃 威利 100HUB.COM

© 2001-2018

快速回復 返回頂部 返回列表