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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] 三星量產第6代V NAND快閃記憶體：首創136層堆疊、傳輸速率業內最快

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sxs112.tw 發表於 2019-8-6 14:00:07 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
3D NAND可以簡單理解為蓋樓，在佔地面積固定的情況下， 樓層越高，容量也就越大。今天（8月6日），三星宣布全球第一個投產超100層的3D NAND。三星稱採用136層堆疊、256Gb（32GB）的第六代V NAND（3bit，也就是TLC）晶片6月量產，7月份SSD進入量產，數據傳輸速率為業內最快。 61xx-v-ssd-2.jpg

首款應用超100層堆疊第六代V NAND的是250GB的SATA 3入門級SSD產品，性能提升10%、功耗降低15%、生產效率提升20%。三星計劃下半年推出採用512Gb第六代TLC的SSD和UFS晶片，以滿足更多客戶需求。

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