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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] WD與Toshiba宣布128層3D NAND：單顆512Gb將名為BiCS-5

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sxs112.tw 發表於 2019-3-7 22:04:20 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
外媒報導稱WD和Toshiba已經開發出了128層@ 512Gbit容量的3D NAND（又稱TLC）。如果沿續此前的命名習慣，我們可以把它叫做BiCS-5 。因為BiCS-4為96層，BiCS-3為64層。與BiCS-4顆粒相比，新技術額外多出的32層，能夠輕鬆將容量提升1/3、從而大幅降低製造同等容量終端產品的成本。
western_digital_memory_3d_nand_plans.png

相關產品有望在2020年末投產，並在2021年實現量產。據悉BiCS-5採用了陣列下電路（CuA）設計。其中邏輯電路位於晶片的底部，數據層堆疊在它的上方。與非CuA 技術相比，晶片尺寸可縮小15％ 。與96 層的BiCS-4 相比，BiCS-5 可讓模具總體縮小23％ 。

將這部分空間釋放之後WD和Toshiba將能夠利用四平面（相較於傳統的雙平面），將顆粒性能提升兩倍。模具將分為四個平面或部分，允許獨立或併行訪問，吞吐量可達132MB/s 。相比之下三星的110+層晶片，只有83MB/s 的吞吐量。
western_digital_memory_3d_nand_bics.png

BiCS-5顆粒能夠在1.2Gb/s 的IO頻寬下執行，讀取延遲低至45 微秒。此外WD使用4KB頁面來訪問128層晶片上的數據，而不是行業傳統所限的16KB 標準頁面。


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