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作者: sxs112.tw
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[處理器 主機板] 高通發布驍龍835處理器:10nm製程,效能提昇27%,節能40%

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sxs112.tw 發表於 2016-11-18 10:46:06 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
2016年高通的驍龍820/821處理器大獲成功,無驍龍不旗艦可不是說著玩的,國產手機廠商不用驍龍820/821做旗艦的大概只有魅族和華為了——儘管這兩家的情況不同。今天高通還突然宣布了下一代驍龍處理器——驍龍835,它就是之前曝光的驍龍830處理器,高通為了營業銷售推廣強行給驍龍830附魔戰鬥力+5,變成了驍龍835處理器,這也將是三星首款10nm製程處理器,高通官方宣稱驍龍835處理器性能比前代提升27%,節能40%,而核心面積效率提高30%。
sd830-01.jpg

驍龍目前的旗艦主力是驍龍820/821,使用的是三星14nm LPP製程,而驍龍835最大的變化就是升級到10nm製程,此前三星在10月中旬宣布正式量產10nm製程,不過有一點不同的是,高通這次首發10nm製程很可能使用的是三星10nm LPE低功耗製程,儘管高通官方並沒有證實具體製程,但30%面積效率、27%性能提升、40%節能的指標與三星之前宣稱的10nm LPE優勢完全相符。此外,三星的14nm LPP製程要等到明年才能量產,時間上也來不及了,高通選擇首發10nm LPE製程非常合理,反正10nm LPE製程就算針對節能而生,但10nm總歸比14nm製程更先進。

高通也沒有公佈驍龍835處理器的具體規格,現在無法證實驍龍835的CPU是否如之前傳聞所說的那樣從4核變成8核,但從性能提升27%的比例來看大概還是4核Kryo架構,如果是從4核升級到8核,處理器性能提升不會只有27%這麼點。與此同時,高通還正式宣布了QuickCharge 4.0(簡稱QC 4.0)快充技術,之前我們也報導過了,QC 4.0充電功率提升到了28W,充電速度快了20%,充電效率提升了30%,0 -50%充電只要15分鐘,充電5分鐘續航5小時,而且充電溫度還降低了5°C。

最後,驍龍835的發布也是紙上的,真機上市還早著呢,大概明年1月份的CES展會上會有展示,大規模發布可能要等到2月份的MWC展會,不出意外的話還是會由三星Galaxy S8手機首發。

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