找回密碼註冊
作者: XF-News
查看: 7650
回復: 0

精華與得獎推薦: 圖檔下載

文章標籤:

文章分享:

+ MORE精選文章:

    相關帖子

    + MORE活動推薦:

    Micron Crucial T710 SSD 玩家開箱體驗分享

    進入疾速前進! 快速邁向終局勝利 使用 Crucial® T710 Gen5 NVMe® ...

    COUGAR ULTIMUS PRO玩家開箱體驗分享活動

    ULTIMUS PRO 終極功能,無限連接 Ultimus Pro 採用簡潔的 98% 鍵盤佈 ...

    COUGAR AIRFACE 180 玩家開箱體驗分享活動

    AIRFACE 180 180mm 風扇,威力加倍 Airface 180 預裝兩顆 180mm PWM ...

    COUGAR GR 750/GR 850 玩家開箱體驗分享活

    ATX 3.1 兼容,穩定供電無憂 COUGAR GR 系列通過 80 PLUS 金牌認證 ...

    打印 上一主題 下一主題

    [活動/消息] 東芝擴充新一代N-channel MOSFET:30V與60V系列 雙面散熱超高效率

    [複製鏈接]| 回復
    跳轉到指定樓層
    1#
    XF-News 發表於 2016-1-13 15:04:42 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
    TOSHIBA.png

    東芝半導體與儲存產品公司封裝技術再躍進,研發推出新一代N-channel MOSFET 30V及60V系列,皆以U-MOS IX-H溝槽式半導體製程為基礎設計,此設計已被使用於降低導通電阻,在各種不同載量下帶來最佳效率;同時也可降低輸出電容。適用於通信設備、伺服器和Data center及網通產品的電源供應器;最新的製程技術,將有助於提高電源的效率。

    以U-MOS IX-H溝槽式製程為基礎,進而發展雙面散熱各式規格的高效能小型化封裝,東芝歐洲分部已開始對原使用低壓MOSFET 40V的客戶推廣30V與60V的新封裝產品。在DSOP封裝的散熱效率上有顯著改善;目前雙面散熱全系列皆可在台灣區提供樣品測試。

    東芝新一代功率MOSFET產品幫助設計者降低各種電源管理電路的損耗及縮小板子的空間,包含直流-直流轉換器的high side 及low side開關,以及交流-直流設計中的二次側同步整流。此技術也適合馬達控制及鋰電池電子設備中的保護模組。

    在VGS為10V時,30V MOSFET的最大導通電阻僅0.6mΩ,Coss的標準值是2160pF。60V產品提供的導通電阻及Coss的標準值: 1.3mΩ及960pF。這可確保加強在既定應用上優化性能的靈活性。

    此二款MOSFET U-MOS IX-H 30V與60V系列均可用於薄型表面黏著封裝DSOP Advance,兩者的PCB面積僅5mm x 6mm。選用DSOP Advance方案可顯著地幫助降低系統的溫度,使設計上允許使用較小的散熱片或省去散熱片。此外,所有的MOSFET可操作的通道溫度達175℃。
    您需要登錄後才可以回帖 登錄 | 註冊 |

    本版積分規則

    小黑屋|手機版|無圖浏覽|網站地圖|XFastest  

    GMT+8, 2025-12-20 05:51 , Processed in 0.122305 second(s), 58 queries .

    專業網站主機規劃 威利 100HUB.COM

    © 2001-2018

    快速回復 返回頂部 返回列表