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作者: sxs112.tw
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[儲存裝置] 儲存密度大幅上升，三星公佈第二代3D V-NAND技術細節

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1#
sxs112.tw 發表於 2015-3-6 22:59:26 | 只看該作者 |只看大圖 回帖獎勵 |倒序瀏覽 |閱讀模式
三星在去年推出了第二代3D V-NAND技術，並應用到850 Pro/EVO兩款SSD上，日前在ISSCC 2015研討會上，三星公佈了第二代3D V-NAND的部分細節，針對優化了的部分進行了一些解釋。
photo001.jpg

PC Watch對此進行了較為詳細的介紹，從上圖可以看到，第一代與第二代3D V-NAND在儲存密度上有很大的差異，第一代採用MLC設計，堆疊層數為24層，128Gbit容量所需面積為133mm2，而第二代採用TLC設計，堆疊層數上升至32層，儲存密度大幅提升，128Gb所佔面積為68.9mm2，第一代的儲存密度為0.93Gb/ mm2，第二代的就上升到1.86Gb/mm2，上升幅度達到了2.25倍，幅度相對驚人。
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2#
XF-Team 發表於 2015-3-8 22:45:10 | 只看該作者
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3#
admin 發表於 2015-3-9 20:56:14 | 只看該作者
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