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放大器氧化物突破性

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[情報] 恩智浦半導體突破性提升LDMOS基地台功率效能

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電梯直達

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PC3 發表於 2008-5-16 23:02:53 | 只看該作者回帖獎勵

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恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日推出BLC7G22L（S）-130基地台功率電晶體，這是恩智浦應用第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；LDMOS）技術的首款產品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行最佳化。恩智浦的第七代LDMOS技術可以實現目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產品相比，功率密度提升了20%，功率效能增長了兩個百分點，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基地台前期電晶體的初款原型將於2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會期間進行展示。

恩智浦RF功率產品線行銷部門經理Mark Murphy表示︰「隨著電信系統商開始提供以HSDPA和LTE等技術為基礎的超高速服務，無線網路基礎設施的功率需求也已達到空前的水準。恩智浦如今利用第七代LDMOS技術，推出業界性能最高的LDMOS基地台電晶管，其功率增加效率遠高於目前市場上的任何產品。」

第七代LDMOS的性能達到3.8GHz，且輸出電容減少25%，可實現寬頻輸出匹配，進而設計出更簡單、性能更好的Doherty放大器。ABI Research射頻（RF）元件與系統研究總監Lance Wilson表示︰「隨著數據驅動型服務逐漸成為無線基礎設施的重要條件，頂尖的RF功率放大器性能就成為必備。恩智浦的第七代LDMOS技術，憑著在功率密度和熱性能方面的重大進步，必定成為該公司進入相關應用頂級設備市場時的重要資產。」

連結
https://www.hope.com.tw/News/ShowNews.asp?O=200805161829181436