滿足高速設備需求，三星Toggle DDR 2.0介面快閃記憶體晶片投產

查看數: 15053 | 評論數: 4 | 收藏 0

提示：支持鍵盤翻頁<-左右->

發佈時間: 2011-5-13 22:49

日前，三星電子正式宣佈，全球首款採用Toggle DDR 2.0高速介面的MLC NAND快閃記憶體晶片將正式投產。首批三星新快閃記憶體晶片將採用20nm級別的製程，容量為64Gb（8GB）。據稱，Toggle DDR 2.0介面可以讓快閃記 ...

回復

x61055t 發表於 2011-5-14 19:04:02

craftoscar 發表於 2011-5-14 00:27:24

NADA FLASH應用層面之廣

400Mbps的I/O確實較有競爭力

knighter9999 發表於 2011-5-13 23:44:59

author 發表於 2011-5-13 23:24:53

抓耙仔的東西..

特別活動

專題活動

Computex報導

GAMFORCE

XFastest 專頁

相關資訊

GMT+8, 2024-9-25 14:36 , Processed in 0.134291 second(s), 64 queries .

專業網站主機規劃 威利 100HUB.COM