滿足高速設備需求，三星Toggle DDR 2.0介面快閃記憶體晶片投產

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發佈時間: 2011-5-13 22:49

日前，三星電子正式宣佈，全球首款採用Toggle DDR 2.0高速介面的MLC NAND快閃記憶體晶片將正式投產。首批三星新快閃記憶體晶片將採用20nm級別的製程，容量為64Gb（8GB）。據稱，Toggle DDR 2.0介面可以讓快閃記 ...

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x61055t 發表於 2011-5-14 19:04:02

craftoscar 發表於 2011-5-14 00:27:24

NADA FLASH應用層面之廣

400Mbps的I/O確實較有競爭力

knighter9999 發表於 2011-5-13 23:44:59

author 發表於 2011-5-13 23:24:53

抓耙仔的東西..

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