三星宣佈開始量產30nm製程2Gb密度DDR3記憶體晶片

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發佈時間: 2010-7-21 20:33

今年早些時候，三星公司曾宣佈完成了30nm製程2Gb密度DDR3記憶體晶片的開發工作，而最近他們則宣佈這款晶片產品已經進入批量生產階段。這款30nm製程DDR3晶片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz資料傳輸率下，加壓到1 ...

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knighter9999 發表於 2010-7-21 21:53:43

這就表示可以在現有的PCB版之下
做出容量更高速度更快的記憶體模組了吧!!!!

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